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Abracon晶振,弯脚晶振,AB26TRB晶振,AB26TRB-32.768KHZ-T晶振

Abracon晶振,弯脚晶振,AB26TRB晶振,AB26TRB-32.768KHZ-T晶振

频率:32.768KHZ
尺寸:6.0*1.9mm pdf 晶振技术
参数资料
  因插件型镜头成本更低和更高的批量生产能力.主要应用于电视,机顶盒,LCDM和游戏机家用常规电器数码产品等的最佳选择.符合RoHS/无铅.
Abracon晶振,插件石英晶振,AB晶振,AB-8.000MHZ-B2晶振

Abracon晶振,插件石英晶振,AB晶振,AB-8.000MHZ-B2晶振

频率:1.8432MHZ~...
尺寸:11.5*5.0mm pdf 晶振技术
参数资料
  49/S形晶体谐振器的底部装了树脂底座,就可作为产品电气特性和高可靠性无受损的表面贴片型晶体谐振器使用,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.  
KDS晶振,DSO321SH晶振,有源晶振

KDS晶振,DSO321SH晶振,有源晶振

频率:3.5~52MHz
尺寸:3.2×2.5mm pdf 晶振技术
参数资料

小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

KDS晶振,DSO321SBM/SBN/SVN晶振,3225贴片晶振

KDS晶振,DSO321SBM/SBN/SVN晶振,3225贴片晶振

频率:0.7~90MHz
尺寸:3.2×2.5mm pdf 晶振技术
参数资料

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..

KDS晶振,DSO223SK晶振,DSO323SK晶振,贴片晶振

KDS晶振,DSO223SK晶振,DSO323SK晶振,贴片晶振

频率:13.5~167MH...
尺寸:2.5×2.0mm,3.2... pdf 晶振技术
参数资料

高精度晶片的抛光技术:是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使石英晶体元器件的等效电阻等更接近理论值,使石英晶体元器件可在更低功耗下工作

KDS晶振,DSO223SJ晶振,DSO323SJ晶振,普通有源晶振

KDS晶振,DSO223SJ晶振,DSO323SJ晶振,普通有源晶振

频率:13.5~167MH...
尺寸:2.5×2.0mm,3.2... pdf 晶振技术
参数资料

高精度晶片的抛光技术:是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使石英晶体元器件的等效电阻等更接近理论值,使石英晶体元器件可在更低功耗下工作

KDS晶振,DSO223SD晶振,DSO323SD晶振,有源晶振

KDS晶振,DSO223SD晶振,DSO323SD晶振,有源晶振

频率:13.5~167MH...
尺寸:2.5×2.0mm,3.2... pdf 晶振技术
参数资料

高精度晶片的抛光技术:是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使石英晶体元器件的等效电阻等更接近理论值,使石英晶体元器件可在更低功耗下工作

KDS晶振,DSO221SW晶振,2520贴片有源晶振

KDS晶振,DSO221SW晶振,2520贴片有源晶振

频率:3.25~60MHz
尺寸:2.5×2.0mm pdf 晶振技术
参数资料

高精度晶片的抛光技术:是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使石英晶体元器件的等效电阻等更接近理论值,使石英晶体元器件可在更低功耗下工作

KDS晶振,DSO221SR晶振,32.768K有源晶振

KDS晶振,DSO221SR晶振,32.768K有源晶振

频率:32.768KHz
尺寸:2.5×2.0mm pdf 晶振技术
参数资料

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..

KDS晶振,DSO221SN晶振,2520有源晶振

KDS晶振,DSO221SN晶振,2520有源晶振

频率:1.5625~100...
尺寸:2.5×2.0mm pdf 晶振技术
参数资料

小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

KDS晶振,DSO221SHF晶振,SPXO晶体振荡器

KDS晶振,DSO221SHF晶振,SPXO晶体振荡器

频率:1.5~80MHz
尺寸:2.5×2.0mm pdf 晶振技术
参数资料

小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

KDS晶振,DSO221SH晶振,2520有源晶振

KDS晶振,DSO221SH晶振,2520有源晶振

频率:3.5~52MHz
尺寸:2.5×2.0mm pdf 晶振技术
参数资料

小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

KDS晶振,DSO221SBM晶振,普通有源晶体振荡器

KDS晶振,DSO221SBM晶振,普通有源晶体振荡器

频率:3.25~52MHz
尺寸:2.5×2.0mm pdf 晶振技术
参数资料

小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

KDS晶振,DSO213AW晶振,2016贴片有源晶振

KDS晶振,DSO213AW晶振,2016贴片有源晶振

频率:3.25~60MHz
尺寸:2.0×1.6mm pdf 晶振技术
参数资料

小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

KDS晶振,DSO211AR晶振,贴片型石英晶体振荡器

KDS晶振,DSO211AR晶振,贴片型石英晶体振荡器

频率:0.4~80MHz
尺寸:2.0×1.6mm pdf 晶振技术
参数资料

小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

KDS晶振,DSO211AN晶振,有源晶振

KDS晶振,DSO211AN晶振,有源晶振

频率:1.5625~100...
尺寸:2.0×1.6mm pdf 晶振技术
参数资料

小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

KDS晶振,DSO211AH晶振,2016石英晶振

KDS晶振,DSO211AH晶振,2016石英晶振

频率:3.25~52MHz
尺寸:2.0×1.6mm pdf 晶振技术
参数资料

小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

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