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进口温补晶振大全,提供日本进口温补节能改造-欧美进口温补晶振!
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IDT晶振,XU晶振,有源贴片晶振

IDT晶振,XU晶振,有源贴片晶振

频率:0.016~1500...
尺寸:5.0×3.2,5.0×... pdf 晶振技术
参数资料

小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗

IDT晶振,XUQ晶振,差分晶振

IDT晶振,XUQ晶振,差分晶振

频率:0.016~670M...
尺寸:5.0×3.2,5.0×... pdf 晶振技术
参数资料

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IDT晶振,XUP晶振,石英晶体振荡器

IDT晶振,XUP晶振,石英晶体振荡器

频率:0.016~670M...
尺寸:5.0×3.2,5.0×... pdf 晶振技术
参数资料

小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗

IDT晶振,XUO晶振,进口有源贴片晶振

IDT晶振,XUO晶振,进口有源贴片晶振

频率:0.016~670M...
尺寸:5.0×3.2,5.0×... pdf 晶振技术
参数资料

贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.

IDT晶振,XUN晶振,有源晶振

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频率:0.016~670M...
尺寸:5.0×3.2,5.0×... pdf 晶振技术
参数资料

贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.

IDT晶振,XUM晶振,进口石英晶体振荡器

IDT晶振,XUM晶振,进口石英晶体振荡器

频率:0.016~1500...
尺寸:5.0×3.2,5.0×... pdf 晶振技术
参数资料

贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.

IDT晶振,XUL晶振,OSC晶体振荡器

IDT晶振,XUL晶振,OSC晶体振荡器

频率:0.016~1500...
尺寸:5.0×3.2,5.0×... pdf 晶振技术
参数资料

贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.

IDT晶振,XUH晶振,石英晶体振荡器

IDT晶振,XUH晶振,石英晶体振荡器

频率:0.016~167M...
尺寸:5.0×3.2,5.0×... pdf 晶振技术
参数资料

贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.

IDT晶振,XLP晶振,差分贴片晶振

IDT晶振,XLP晶振,差分贴片晶振

频率:0.750~1350...
尺寸:5.0×3.2,5.0×... pdf 晶振技术
参数资料

贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.

IDT晶振,XLL晶振,有源贴片晶振

IDT晶振,XLL晶振,有源贴片晶振

频率:0.750~1350...
尺寸:3.2×2.5,5.0×... pdf 晶振技术
参数资料

贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.

IDT晶振,XLH晶振,贴片型石英晶体振荡器

IDT晶振,XLH晶振,贴片型石英晶体振荡器

频率:0.750~250M...
尺寸:3.2×2.5,5.0×... pdf 晶振技术
参数资料

有源石英晶振,无论是温补晶体也好,压控晶振也罢,产品均采用了,离子刻蚀调频技术,比目前一般使用的真空蒸镀方式调频,主要在产品参数有以下提升:1.微调后调整频率能控制在±2ppm,一般只能保持在±5ppm;2.产品的激励功率相关性参数有大幅提升;3.产品的长期老化率可保证在±2ppm之内

IDT晶振,8N4SV75晶振,有源晶振

IDT晶振,8N4SV75晶振,有源晶振

频率:15.476~130...
尺寸:5.0×7.0mm pdf 晶振技术
参数资料

有源石英晶振,无论是温补晶体也好,压控晶振也罢,产品均采用了,离子刻蚀调频技术,比目前一般使用的真空蒸镀方式调频,主要在产品参数有以下提升:1.微调后调整频率能控制在±2ppm,一般只能保持在±5ppm;2.产品的激励功率相关性参数有大幅提升;3.产品的长期老化率可保证在±2ppm之内

IDT晶振,8N4S271晶振,有源贴片晶振

IDT晶振,8N4S271晶振,有源贴片晶振

频率:15.476~130...
尺寸:5.0×7.0mm pdf 晶振技术
参数资料

有源石英晶振,无论是温补晶体也好,压控晶振也罢,产品均采用了,离子刻蚀调频技术,比目前一般使用的真空蒸镀方式调频,主要在产品参数有以下提升:1.微调后调整频率能控制在±2ppm,一般只能保持在±5ppm;2.产品的激励功率相关性参数有大幅提升;3.产品的长期老化率可保证在±2ppm之内

IDT晶振,8N4S270晶振,OSC晶振

IDT晶振,8N4S270晶振,OSC晶振

频率:15.476~130...
尺寸:5.0×7.0mm pdf 晶振技术
参数资料

有源石英晶振,无论是温补晶体也好,压控晶振也罢,产品均采用了,离子刻蚀调频技术,比目前一般使用的真空蒸镀方式调频,主要在产品参数有以下提升:1.微调后调整频率能控制在±2ppm,一般只能保持在±5ppm;2.产品的激励功率相关性参数有大幅提升;3.产品的长期老化率可保证在±2ppm之内

IDT晶振,XLH晶振,贴片型石英晶体振荡器

IDT晶振,XLH晶振,贴片型石英晶体振荡器

频率:0.75~250MH...
尺寸:5.0×3.2mm,5.0... pdf 晶振技术
参数资料

有源石英晶振,无论是温补晶体也好,压控晶振也罢,产品均采用了,离子刻蚀调频技术,比目前一般使用的真空蒸镀方式调频,主要在产品参数有以下提升:1.微调后调整频率能控制在±2ppm,一般只能保持在±5ppm;2.产品的激励功率相关性参数有大幅提升;3.产品的长期老化率可保证在±2ppm之内

IDT晶振,8N4Q001晶振,进口有源晶振

IDT晶振,8N4Q001晶振,进口有源晶振

频率:15.476~130...
尺寸:5.0×7.0mm pdf 晶振技术
参数资料

VCXO是指这款晶体产品控制功能只有单压控也就是电压控制功能,产品本身频率精度可以随着电压搞定起伏来自动调整频率,使产品永远控制在一定的频率范围,压控晶振(VCXO)压控石英晶体振荡器基本解决方案,PECL输出,输出频率60 MHz到200 MHz之间,出色的低相位噪声和抖动,三态功能,应用:SDH/ SONET,以太网,基站,笔记本晶振应用

IDT晶振,8N4DV85晶振,VCXO晶振

IDT晶振,8N4DV85晶振,VCXO晶振

频率:15.476~130...
尺寸:5.0×7.0mm pdf 晶振技术
参数资料

VCXO是指这款晶体产品控制功能只有单压控也就是电压控制功能,产品本身频率精度可以随着电压搞定起伏来自动调整频率,使产品永远控制在一定的频率范围,压控晶振(VCXO)压控石英晶体振荡器基本解决方案,PECL输出,输出频率60 MHz到200 MHz之间,出色的低相位噪声和抖动,三态功能,应用:SDH/ SONET,以太网,基站,笔记本晶振应用

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