村田车载用2016尺寸晶体谐振器XRCGB系列产品
MuRata村田车载用2016尺寸晶体谐振器XRCGB系列,是专为车载电子场景量身打造的高端晶振产品,凭借自主研发的高精度石英晶体技术,精密封装工艺与严苛的品质管控体系,在小型化,高稳定性,强抗干扰性,低功耗等多个核心维度实现重大突破,彻底解决了传统车载晶振的行业痛点,其核心技术优势与产品特点十分突出,能够全方位满足车载电子的高端应用需求,彰显了MuRata村田在车载晶振领域的领军实力.作为晶振的核心组成部分,石英晶体具有优异的压电特性,当对石英施加交变电压时,它会产生稳定的机械振动,1秒内的振动次数即为频率,频率的精准度与稳定性直接决定晶振的性能,而XRCGB系列采用的高性能石英晶体材料,经过特殊配方优化与精密加工,进一步提升了压电特性与频率稳定性,为产品的精准运行奠定了坚实基础.

Skyworks携手中兴通讯共筑一体化智能汽车解决方案
Skyworks与中兴通讯的合作,是"半导体核心器件+通信技术"的完美融合,双方依托各自领域的技术优势,深度协同,优势互补,联合打造的一体化智能汽车解决方案,涵盖车联网通信,智能驾驶,车载信息娱乐,电池管理等全场景,其中Skyworks的车载级核心元器件作为解决方案的"核心基石",为方案的高效,稳定,可靠运行提供了坚实支撑.

Skyworks推出首款小型基站高效LAA/LTE-U
Skyworks推出的业内首款适用于小型基站的高效LAA/LTE-U解决方案,是其数十年射频技术与基站通信经验的集大成之作,聚焦小型基站"高效,集成,小型化,高稳定,全适配"的核心需求,创新性整合了高效功率放大器,先进射频前端模块与精准时序控制技术,其中SKY66288-11高效功率放大器作为方案核心组件,凭借卓越的性能表现成为业内标杆.该解决方案全方位超越传统方案,核心优势集中体现在五大维度,为小型基站LAA/LTE-U应用提供全链路核心支撑,引领行业技术革新.

SUNTSU时钟抖动解析系统计时精度的保障指南
在电子系统日益向高速化,高精度,高可靠性升级的今天,计时精度成为决定系统性能的核心指标之一,而时钟抖动作为影响计时精度的关键因素,直接关系到电子设备的稳定运行,数据传输准确性与整体性能上限.无论是消费电子,汽车电子,还是医疗设备,航空航天等高端领域,时钟抖动的控制水平,都成为衡量系统可靠性的重要标尺.作为全球频率控制领域的领军企业,SUNTSU深耕晶振研发与生产数十年,凭借先进的技术积累与严苛的品质管控,在时钟抖动控制方面形成了独特的技术优势,为各行业系统提供稳定,精准的计时支撑.

SUNTSU以精准定制筑牢电子器件高可靠性根基
在电子设备向小型化,智能化,极端环境适配加速升级的当下,高可靠性已成为衡量电子器件核心竞争力的关键标尺,更是保障各类设备稳定运行,规避安全风险的核心前提.而定制化元件,正是破解通用标准化器件性能瓶颈,精准匹配各行业特殊应用需求的关键路径.作为全球频率控制领域的领军企业,SUNTSU深耕行业数十年,凭借深厚的技术研发积累,严苛的全流程品质管控体系与灵活高效的定制服务能力,以定制元件为核心载体,为全球各行业客户量身打造高可靠性电子器件解决方案,全方位赋能企业产品技术升级与市场竞争力提升.

River高精度计时解决方案破解多传感器痛点
传统计时方案多采用普通晶振搭配简单时序电路,存在频率精度不足,相位抖动过大,抗干扰能力弱等短板,难以适配传感器融合及ADAS系统的严苛需求,易出现数据同步偏差,时序信号中断等问题,严重制约ADAS系统的性能提升.River基于70余年的石英晶体研发经验,针对性破解传感器融合与ADAS系统的计时痛点,整合独特调谐叉技术,专属GT切割工艺,汽车级加固封装等核心技术,打造出专属高精度计时解决方案,涵盖高精度调谐叉晶振,温补晶振(TCXO)等核心产品,实现"高精度,低抖动,强抗扰,长寿命"四大核心突破,完美匹配传感器融合与ADAS系统的全场景应用需求,成为全球主流ADAS厂商的优选时序解决方案.

River独特调谐叉技术专为汽车应用研发
River独特调谐叉技术,并非传统消费电子领域调谐叉晶振的简单升级,而是基于汽车电子的严苛需求,进行全维度定制化研发的专属技术.其核心逻辑是通过优化石英晶体的调谐叉结构设计,采用专属切割工艺与加固封装技术,让晶振具备"抗振动,宽温稳,抗干扰,长寿命"四大核心特性,从根本上解决传统晶振在汽车场景中的性能短板,同时兼顾低功耗与小型化,适配汽车电子系统日益紧凑的布局需求.

ECS-327MV系列系列32.768kHz时序领域的多适配标杆
ECS-327MV系列是ECS专为低功耗,多电压适配场景研发的一款32.768kHz表面贴装型振荡器,凭借先进的电路设计,严苛的品控标准与灵活的适配能力,成为各类低功耗电子设备的优选时序器件.该产品核心定位为"精准计时,超低功耗,多电压兼容,小型化集成",搭载32.768kHz标准振荡频率,采用表面贴装(SMD)封装设计,体积紧凑,集成便捷,同时支持多电压范围适配,无需额外配置电压转换模块,大幅降低研发集成难度与电路设计成本.相较于传统32.768kHz振荡器,ECS-327MV系列在功耗控制上实现了突破性升级,通过优化内部电路架构,甄选高纯度低功耗元器件,大幅降低设备运行及休眠状态下的能耗损耗,完美适配电池供电类设备的长效续航需求;多电压适配特性可灵活匹配不同设备的供电规格,无需针对不同电压需求更换器件,提升研发效率与产品通用性;表面贴装设计则适配小型化,高密度集成的设备布局,兼顾集成便捷性与运行可靠性,广泛覆盖物联网终端,智能穿戴,工业控制,便携式医疗等多个领域.

Renesas推出28纳米RH850/U2C汽车微控制器
瑞萨电子始终以技术创新为核心驱动力,持续投入研发资源,紧跟汽车产业升级趋势,其旗下RH850系列汽车MCU凭借久经验证的可靠性,卓越的性能表现,长期为全球知名汽车厂商及Tier1供应商提供核心支撑,广泛应用于汽车各类核心控制系统.此次推出的28纳米RH850/U2C汽车微控制器,是瑞萨电子在汽车MCU领域的又一重磅成果,作为入门级产品,其成功推出进一步扩充了瑞萨广受欢迎的RH850/U系列产品线,与定位高端的RH850/U2B及中端RH850/U2A产品形成互补,构建起覆盖低,中,高端的完整产品矩阵,可满足不同层级汽车电子应用的需求.

Suntsu研发采用最先进硅技术新型振荡器
Suntsu推出的新型振荡器,核心亮点在于全面采用最先进的硅技术,摒弃了传统石英振荡器依赖石英晶体压电振荡,MEMS振荡器存在结构局限的固有缺陷,创新性打造全硅架构核心振荡单元,从底层技术架构上实现了振荡器性能的跨越式提升,彰显了Suntsu在时序元件领域的技术引领地位与持续创新能力.与传统技术相比,该款新型硅技术振荡器在核心性能上实现了多维度,全方位的突破,其采用的先进硅基半导体技术,无需依赖石英晶体的压电振荡物理原理,而是通过硅基材料的半导体特性实现稳定振荡,从根源上解决了传统产品易受温度变化,机械振动,外部冲击影响而出现频率偏移,性能衰减的行业痛点,同时兼顾超低功耗,超高精度与超高可靠性,完美适配当下电子设备向小型化,低功耗,高精度升级的核心需求,填补了高端硅基振荡器的市场空白,为终端厂商提供了更优质,更适配,更具竞争力的频率控制解决方案,助力终端厂商突破产品性能瓶颈.

SiT9346系列晶振赋能航空国防领域精准运行
SiTime聚焦高端时序领域的技术研发与迭代,投入大量研发资源攻克极端环境下的时序稳定性难题,深耕航空国防,工业控制,车载电子等多个核心高端领域,累计为全球各类高端装备提供精准,稳定的时序支撑,其加固型MEMS振荡器凭借卓越的抗振动,抗冲击,宽温适应能力,赢得了全球航空国防领域客户的高度赞誉,成为MEMS时序技术在高端严苛场景应用的标杆企业.此次专为航空国防领域打造的SiT9346系列晶振,是SiTime在加固型时序器件领域的重磅力作,凝聚了其多年的技术沉淀与场景洞察,精准贴合航空国防装备对时序器件的严苛要求,针对极端环境下的时序稳定性,抗干扰性等核心痛点进行针对性优化,进一步巩固了SiTime在航空国防时序领域的领先地位,为国防装备的技术升级注入强劲动力.

MtronPTI硬核性能拉满XO517X系列亮点解析
在高端电子装备持续迈向极端环境服役,高精度时序刚需的当下,无论是卫星通信,井下勘探,还是军工测控,高温工业场景,时钟频率器件都面临着超宽温域,极致稳频,低噪抗扰,长期可靠的严苛考验.普通晶振与常规温补器件,在高低温剧烈波动,密闭高温,强干扰工况下,极易出现频率漂移,信号失真,时序紊乱等问题,直接制约装备运行稳定性与数据精准度,成为行业攻克极端场景应用的核心瓶颈.全球领先的频率控制解决方案提供商MtronPTI,深耕高精度晶振领域数十年,依托军工级研发实力与严苛品控体系,针对极端宽温,高稳定需求重磅推出XO517X系列温控晶体振荡器(OCXO),以ppb级超高稳频,超宽温适配,超低相位噪声的硬核性能,重新定义极端环境时钟基准标准.

Fox Quartz Crystal设计与制作，美国FOX公司是一家超级注重于品质的元器件供应商，为了好的品质不惜一切代价在一个小细节上面死磕，只为了让用户好的体验，凭借着精湛的工艺，卓越的性能，过硬的品质使得其在行业之中得到无数的称赞，随着不断增长的需求，福克斯公司意识到新的机会来临，便利用长期积累的经验，针对新的需求开发高质量低成本的石英晶振，产品具有轻薄小低功耗低损耗的特点，比较适合用于网络设备，智能产品，电子数码等领域.

晶体仅在最终应用中提供频率选择元件。有外部并且需要增益级来实现最终所需的时钟信号。这个晶体频率范围通常被认为小于160MHz。这个频率以上的晶体需要复杂的电路设计，调谐困难，需要专门的高频晶体。

需要提供CMOS或BJT增益级，有许多可接受的配置。这个该级的输入和输出阻抗会影响电路Q。放大器噪声水平会影响这两者相位噪声和抖动。该级如何在有源增益区偏置对振荡器至关重要启动。此外，该阶段的带宽会影响启动特性。如果振荡器电路为了在泛音上操作晶体，放大器中需要一个频率选择装置电路，以确保电路在所需的晶体泛音处仅具有所需的增益和相移。
振荡器电路在晶体谐振时产生交流电流。此交流电流或驱动器液位必须低于临界值，否则晶体可能会损坏。过大的电流会导致晶体运动超过弹性极限而断裂。XY切割（音叉）32.768KHz手表晶体必须限制在约5µA或更小，否则晶体的尖端将断裂。
>1MHz的SMD无源晶体通常是AT切割晶体。这些设备可以容忍较宽的驱动器级别范围在达到毫瓦驱动水平之前，不会发生断裂。增加的老化可能发生在更高的µW驱动范围。过度驱动晶体会激发不想要的振动模式。这些可以导致在不同的狭窄温度范围内出现严重的频率跳跃。
在大多数情况下，晶体在无功负载下运行。这样可以调整最终最终应用中的频率。这通常需要校正频率变化与水晶的时间。CLOAD值决定了频率与负载电容的灵敏度。AT切割晶体对于低值可以具有30ppm/pF的灵敏度。使用更高的负载值电容降低了灵敏度，但增加了振荡启动的难度。CLOAD温度特性可以改变振荡器的频率对温度的响应。
晶体的频率响应由晶体穿过原子的切口决定石英晶体的平面。这导致了稳定且可重复的温度响应。这个曲线图显示了AT切割晶体的不同切割的频率-温度响应。每个曲线有2分钟的弧度不同。

每条曲线是通过石英晶体的原子平面的切割的2分钟弧的变化。

晶体有许多参数需要指定，以确保接收到符合最终应用程序要求。
•频率
•校准，设定点为25°C

•CLOAD
•稳定性，频率与25°C温度的关系
•工作温度范围
•Cl的最大ESR，晶体谐振电阻
•C0范围，引脚间电容
•LMOTIONAL或CMOTIONAL，设置晶体的拉出能力
•驱动级别
•频率和电阻的驱动电平依赖性（DLD）
•老化
•绝缘电阻
还有其他规范，如每°C允许的最大频率变化，或平滑曲线允许的最大响应（扰动控制）。

进货检验或测试需要专用设备：
•晶体阻抗计（CI计）
•具有特殊测试夹具和软件的网络分析仪
电路板布局对于实现最佳性能至关重要。以下是一些注意事项：
•导线长度必须尽可能短。
•晶体引线阻抗高，对噪声非常敏感。
•电容器和晶体封装的接地节点不得涉及循环噪声源的电流。
•如果引线上的泄漏路径低于500K欧姆，这可能会影响振荡器的启动并且还将使频率偏移多达几个ppm。

理解Crystek高性能振荡器的相位噪声，一心一意专注于打磨低成本高质量产品为主的Crystek公司,凭借着自身才智与实力，源源不断为行业贡献自我的价值，同时也为用户提供高于其需求的产品，并得到广大用户的好评，为了突破自我，Crystek公司开始针对于新的市场需求优化与更新自身的产品，也为了能够让用户拥有更加广泛的选择空间而作出一番努力，经过一段的打磨，便有了突飞猛进的效果。

在帮助理解相位噪声和抖动的同时高性能振荡器，本文还考察了振荡器相位噪声对系统性能的影响，强调使用超低相位噪声的重要性系统中的振荡器。

对于一个电气工程师来说，在理想的世界里噪音但什么是噪音？什么是电噪声？或更多本文的重点是：什么是相位噪声？作为工程师，我们凭直觉知道系统中的低噪声比高噪声好噪音然而，我们必须通常量化这种噪音接受的单位。我们还将检查相位的差异商品与低成本、高性能晶体振荡器的噪声性能。了解成本振荡器之间的性能权衡对于系统设计。很多时候我们看到两个竞争系统在性能上差别很大，但在价格上没有。这个振荡器相位噪声特性将主导整个系统性能和在振荡器可以提高系统的性能。
然而工程师可以容易地过度指定振荡器，因此，关键是要准确理解有源晶体振荡器相位噪声（或抖动）限制了系统性能。帮助有了这样的理解，关于相位噪声和抖动的教程就在顺序.

振荡器相位噪声和抖动在振荡器中，相位噪声是指输出信号的相位分量。这个方程式信号为：

上面，Δφ（）t是相位噪声，但A0将建立信噪比。图1说明了这一点。
噪声信号是随机的，从广义上讲，噪声可以被表征为干扰要处理或生成的主信号。它会干扰诸如电压、电流、相位等的任何物理参数，频率（或时间）等。因此，我们的想法是最大化信号并最小化噪声，以获得高信噪比SNR.

美国IDT时钟晶体振荡器的优势，美国IDT公司是一家小有名气的频率元器件供应商，主要向市场提供低成本高精度的石英晶振，时钟振荡器，有源石英晶振等产品，伴随着行业快速发展，对于IDT公司而言，也迎来极大的挑战，为了能够突破目前的困境，实现快速增长，IDT公司结合目前的市场需求，凭借着自身独特的创新能力，专注于打磨品质优良，性能出色的产品，产品一经推出便得到市场极佳的反响，并为IDT公司未来发展打下基石。

每位产品设计师每天都必须处理电磁兼容性(EMC)或电磁干扰(EMI)问题，尤其是在使用石英振荡器等频率确定元件时。安装在石英晶体振荡器中的ic会产生陡峭、边缘锐利的侧翼，并产生强烈的谐波泛音。扩频振荡器是解决这一问题的一种方法，但在许多应用中无法使用。例如，在中心扩展为0.5%的情况下，输出频率在f在外0.5%.给定33.333或66.666MHz的频率，0.5%的频率调制意味着频率调制范围为33.333 MHz±166.665kHz或66.666MHz±333.330kHz，这对精确计时来说太大了。这些应用通常只允许50 ppm，或者说低100倍。50ppm的频率稳定性相当于33.333MHz时的容差为1.66665kHz，或66.666 MHz时的容差为3.3333kHz。在这种情况下，开发商迄今为止不得不采取非常昂贵的措施来降低EMC–EMI。这已经没有必要了。Landsberg am Lech的Petermann-Technik基于创新的IC技术——下一代时钟——提供高度多样化的SMD硅时钟振荡器，具有软电平输出信号。软电平技术是一种可编程输出信号，通过延长上升时间(t)可以显著降低LVCMOS输出信号的谐波含量升高)和下降时间(t秋天).软电平技术允许根据客户要求精确调整输出信号。

软级别功能的作用
图1显示了LVCMOS输出信号的周期t和t升高和t秋天20 %到80 %之间。图2显示了正常LVCMOS方波信号(红线)与+3.3V电源电压下的软电平LVCMOS输出信号(蓝线)的边沿轮廓直流电。该图清楚地显示了SoftLevel函数如何使方波的边缘变圆(产生类似鲨鱼鳍的形状),从而显著降低谐波泛音。图3显示了EMC–EMI衰减(奇次谐波)与输出信号周期t的关系。t升高和t秋天与时钟信号的周期t成比例。美国IDT时钟晶体振荡器的优势.

康纳温菲尔德石英晶体振荡器介绍，优秀的Connor-winfield晶振公司凭借其50多年的历史以及丰富的生产经验和技术服务，不断的更新创造更具有价值的频率控制产品。并通过自身的不懈的努力，打磨优质的产品，产品具有高精度，高频率，高性能，小体积，高温度，低抖动等特点，产品包含温补晶振，压控晶振，石英晶体振荡器等产品。尽管引及了竞争性谐振器技术，但与目前可用的任何其它频率控制技术相比，基于石英的振荡器在长期和短期稳定性精度以及低抖动和低相位噪声信号生成方面继续提供最高水平的性能。

大多数IC带有内置有源晶体振荡器电路采用Gated-Pierce设计，其中振荡器是围绕单个CMOS反相门构建的。对于振荡器的应用这通常是一个单一的反相包括一个P通道和一个N通道的级增强型MOSFET，更常见在数字世界中，作为一个无缓冲逆变器（见图。1） 。可以使用缓冲逆变器（通常包括三个串联的P-N MOSFET对），但是数千的相关收益将导致可能不太稳定的成品振荡器。

一个实用的振荡器电路如图2所示包括所述未缓冲反相器、两个电容器，两个电阻器和石英晶体。了解如何该振荡器工作CMOS反相门必须被视为具有增益、相位和传播延迟约束，而不是作为逻辑设备使用1和0。康纳温菲尔德石英晶体振荡器介绍

图3显示了直流传输特性（Vin与。Vout）和未缓冲的DC偏置点线HCMOS逆变器74HCU04。在3.3V和1M? 对于Rf，逆变器将与其输入和输出一起放置电压约为1.65V。这种逆变器现在被认为是在其线性区域中被偏置。输入的微小变化电压将被增益放大，并显示为输出电压的变化较大。

图4显示了一组典型的开环增益曲线相同的74HCU04。在3.3V时，逆变器的增益为20（26 dBV）从DC到2MHz，具有3dB衰减频率为8.5MHz，并且看起来仍然具有增益超过100MHz。
为了将这种偏置反相门用作振荡器，它必须具有足够的增益克服了反馈网络的损耗（图中的C1、C2、Rlim和石英晶体。2） ，振荡频率下的负电阻足以超过晶体等效串联电阻，以及整个电路周围的相移360度。人们很容易想到这种74HCU04逆变器可以用来制造工作频率超过100MHz的振荡器，因为它在3.3V时有足够的增益，但实际上由于各种振荡器环路周围的相移。
该电路的分析很难概括，因为它非常依赖于家族所使用的CMOS门以及该特定CMOS家族的内部构造。全部的CMOS反相门具有输入电容、输出电容和输出“电阻”和传播延迟，所有这些都会影响C1、C2和Rlim的选择如图2所示，并最终确定OSC晶振的较高工作频率。选择偏置电阻器Rf通常在1M之间? 和10M?, 降低一个值将有效出现在水晶上，并可能导致水晶在杂散或泛音频率。康纳温菲尔德石英晶体振荡器介绍.
考虑一个ESR为15的20MHz晶体?, 3pF的C0，需要负载电容为20pF，晶体功耗约为100µW。

从20pF的期望负载电容开始，这可以近似为C1+栅极输入电容（1至5pF是典型值）与C2串联。C1的比率至C2将影响增益和晶体功率耗散。一个好的起点是C1≈C2。为了增加环路增益（并降低晶体功耗），使C1＜C2。这对于负载电容为20pF，栅极具有~3pF的输入电容。

瑞斯克石英晶体振荡器说明书，随着电子行业的产品越来越多元化，为了更好顺应市场的变化，Crystek公司利用自身的优势，针对目前振动器产品进行深入研究与探索说明，并研发设计出极具有价值的石英晶体振荡器，并因此吸引了广泛用户的关注，产品融合的高质量低抖动低电压的特点，可以满足不同应用程序的需求，同时也优化相噪声，又获得极好的用户体验。

图1中的皮尔斯门振荡器得到了大多数设计师的认可，但很少有人了解如何正确指定晶体。拓扑结构中使用的晶体图1可以是基本的AT-CUT或BT-CUT。BT-CUT晶体质量差与AT-CUT相比，频率随温度的稳定性。此拓扑使用平行晶体而不是串联晶体。当指定平行晶体时，晶体制造商还将要求您指定负载电容。

要了解负载电容，请考虑串联LC电路，其中晶体是L，负载电容是C。谐振LC电路的频率将作为L和C的函数而变化在晶体情况下，L是固定的（温度不是参数）。瑞斯克石英晶体振荡器说明书.

晶体数据表上的参数由负载电容是25°C时中心频率的公差或校准。如果有源晶体振荡器电路设计不匹配负载电容值，则中心频率将不在数据表的公差限制。有趣的是并联晶体要求其电容负载有效串联其端子。
那么，您的皮尔斯门振荡器向结晶如图2所示的一个简单计算将告诉您。

图2中大多数设计师忽略的最重要的事实是反相器门的内部输入和输出电容。这些与外部（C1和C2）相比在值上是显著的。如果Cin和Cout没有指定，那么每个5 pF的猜测值是好的开始以后可以通过改变启动来优化电路C1和C2的值。所以，不要放弃你的主要宽容；计算您的振荡器电容负载。

既然你知道了如何计算负载电容电路呈现给水晶，您应该选择什么负载电容？在回答这个问题之前，你需要知道晶体中心频率对负载的灵敏度电容。这被称为微调灵敏度S，由下式给出：

其中Cm是晶体的运动电容，
Co是晶体的分流电容，
Cload是负载电容。
从修剪灵敏度方程中，你可以看到，你制作的Cload越小，就越大微调灵敏度。换句话说，如果你正在设计一个固定频率的时钟，那么你选择一个高的Cload值，比如20 pF。但是，如果你正在设计一个可变频率振荡器（VCXO）选择诸如14pF的低Cload值。瑞斯克石英晶体振荡器说明书.