频率：10~40MHZ
尺寸：5.0*3.2mm
EPSON晶振,温补晶振,TG5032CAN晶振,X1G0044310086晶振,石英晶振在选用晶片时应注意温度范围、晶振温度范围内的频差要求，贴片晶振温度范围宽时(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄温(-10℃-70℃)切割角度应略高。对于晶振的条片，长边为 X 轴，短边为 Z 轴，面为 Y 轴。对于圆片晶振，X、Z 轴较难区分，所以石英晶振对精度要求高的产品（如部分定单的 UM-1），会在 X 轴方向进行拉弦（切掉一小部分），以利于晶振的晶片有方向的装架点胶，点胶点点在 Z 轴上。保证晶振产品的温度特性。
5032mm体积的石英晶体振荡器,晶振,该产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊盘,及IR回流焊盘(无铅对应),为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.
日本精工爱普生接受了中国苏州政府2007 年的招商引资,命名为【爱普生拓优科梦水晶元器件（苏州）有限公司】 爱普生拓优科梦（Epson Toyocom）是精工爱普生株式会社与爱普生（中国）有限公司共同投资成立的有限责任公司（外商合资）.目前注册资本2500万美金.现员工人数:1500人.主要从事石英晶振系列产品的生产,投资初期主要生产32.768KHZ系列产品,从2009年起32.768K系列产品转向马来西亚量产.苏州爱普生工厂就以生产高端的石英晶体振荡器为主,普通石英晶体谐振器为辅.
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型号 |
TG5032CAN晶振 |
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输出频率范围 |
10~40MHZ |
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电源电压范围 |
2.7~5.5V |
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电源电压（Vcc） |
+3.3V |
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消耗电流 |
+90mA max. |
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驱动输出 |
CMOS |
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输出电压 |
0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled） |
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输出负载 |
10kΩ//15pF |
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频率稳定度 |
常温偏差 |
±1.5×10-6 max.（After 2 reflows） |
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温度特性 |
±1.0×10-6,±2.5×10-6 max./-55~+125℃ |
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电源电压特性 |
±0.2×10-6 max.（VCC ±5%） |
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负载变化特性 |
±0.2×10-6 max.（10kΩ//10pF±10%） |
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长期变化 |
±1.0×10-6 max./year |
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频率控制 |
控制灵敏度 |
±3.0×10-6~±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V @VCC≧+2.6V |
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频率控制极性 |
正极性 |
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爱普生TCXO有源振荡器型号列表:
爱普生TCXO有源振荡器编码列表:
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
F.Tol@25°C
Ope Temperature
Freq/Temp
I [Max]
Freq. Control
25°C Aging
TG2016SAN
26.000000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.73 mm
Clipped sine wave
+/-1.5 ppm
-30 to +85 °C
+/-0.50 ppm
≤ 1.6 mA
+/-1ppm
TG2016SAN
26.000000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.73 mm
Clipped sine wave
+/-1.5 ppm
-30 to +85 °C
+/-0.50 ppm
≤ 1.6 mA
+/-1ppm
TG2016SAN
38.400000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.73 mm
Clipped sine wave
+/-2.0 ppm
-30 to +85 °C
+/-0.50 ppm
≤ 2.0 mA
+/-1ppm
TG2016SAN
24.000000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.73 mm
Clipped sine wave
+/-2.0 ppm
-30 to +85 °C
+/-0.50 ppm
≤ 1.6 mA
+/-1ppm
TG5032CAN
10.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
CMOS
+/-2.0 ppm
0 to +70 °C
+/-0.10 ppm
≤ 5.0 mA
-10 to -5 Vc=0.5V
+/-0.02ppm
TG5032CAN
15.360000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
CMOS
+/-2.0 ppm
0 to +70 °C
+/-0.10 ppm
≤ 5.0 mA
-10 to -5 Vc=0.5V
+/-0.02ppm
TG5032CAN
25.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
CMOS
+/-2.0 ppm
0 to +70 °C
+/-0.10 ppm
≤ 5.0 mA
-10 to -5 Vc=0.5V
+/-0.02ppm
TG5032CAN
20.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
CMOS
+/-2.0 ppm
0 to +70 °C
+/-0.10 ppm
≤ 5.0 mA
-10 to -5 Vc=0.5V
+/-0.02ppm
TG5032CAN
19.200000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
CMOS
+/-2.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.25 ppm
≤ 5.0 mA
-10 to -5 Vc=0.5V
+/-0.02ppm
TG5032CAN
26.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
CMOS
+/-2.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.25 ppm
≤ 5.0 mA
-10 to -5 Vc=0.5V
+/-0.02ppm
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Frequency | LxWxH |
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F.Tol@25°C |
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Freq/Temp | I [Max] |
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25°C Aging | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0044210003 | TG2016SAN | 26.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.73 mm | Clipped sine wave | +/-1.5 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.6 mA | +/-1ppm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0044210004 | TG2016SAN | 26.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.73 mm | Clipped sine wave | +/-1.5 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.6 mA | +/-1ppm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0044210005 | TG2016SAN | 38.400000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.73 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 2.0 mA | +/-1ppm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0044210007 | TG2016SAN | 24.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.73 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.6 mA | +/-1ppm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0044310086 | TG5032CAN | 10.000000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | CMOS | +/-2.0 ppm | 0 to +70 °C | +/-0.10 ppm | ≤ 5.0 mA | -10 to -5 Vc=0.5V | +/-0.02ppm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0044310088 | TG5032CAN | 15.360000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | CMOS | +/-2.0 ppm | 0 to +70 °C | +/-0.10 ppm | ≤ 5.0 mA | -10 to -5 Vc=0.5V | +/-0.02ppm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0044310093 | TG5032CAN | 25.000000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | CMOS | +/-2.0 ppm | 0 to +70 °C | +/-0.10 ppm | ≤ 5.0 mA | -10 to -5 Vc=0.5V | +/-0.02ppm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0044310097 | TG5032CAN | 20.000000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | CMOS | +/-2.0 ppm | 0 to +70 °C | +/-0.10 ppm | ≤ 5.0 mA | -10 to -5 Vc=0.5V | +/-0.02ppm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0044310101 | TG5032CAN | 19.200000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | CMOS | +/-2.0 ppm | -40 to +85 °C | +/-0.25 ppm | ≤ 5.0 mA | -10 to -5 Vc=0.5V | +/-0.02ppm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0044310102 | TG5032CAN | 26.000000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | CMOS | +/-2.0 ppm | -40 to +85 °C | +/-0.25 ppm | ≤ 5.0 mA | -10 to -5 Vc=0.5V | +/-0.02ppm |
晶振产品的设计和生产直到出厂,都会经过严格的测试检测来满足它的规格要求。通过严格的出厂前可靠性测试以提供高质量高的可靠性的石英晶振.但是为了TCXO晶振的品质和可靠性,必须在适当的条件下存储,安 装,运输。请注意以下的注意事项并在最佳的条件下使用产品,我们将对于客户按自己的判断而使用石英晶振所导致的不良不负任何责任。EPSON晶振,温补晶振,TG5032CAN晶振,X1G0044310086晶振
机械振动的影响:当贴片石英晶振产品上存在任何给定冲击或受到周期性机械振动时,比如：压电扬声器,压电蜂鸣器,以及喇叭等,输出频率和幅度会受到影响。这种现象对通信器材通信质量有影响。尽管晶振产品设计可最小化这种机械振动的影响,我们推荐事先检查并按照下列安装指南进行操作。
温补振荡器产品使用每种产品时,请在石英晶振规格说明或产品目录规定使用条件下使用。因很多种晶振产品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事项也有所不同,比如焊接模式,运输模式,保存模式等等,都会有所差别。
加强环境意识教育,提高全员环境意识,充分调动职工的积极性,积极使用温补晶体振荡器（TCXO）、恒温晶体振荡器（OCXO）,晶振,石英晶振,有源晶振环保型原材料,减少OSC晶体振荡器生产过程中的废弃物产生量,努力向相关方施加环境影响. 我们的活动、产品和服务首先要遵守和符合有关环境的法律和其他环境要求.努力探索生产中所使用的有毒有害物质的替代,本着污染预防的思想,使我们的有源晶振,压控振荡器, 晶振,石英晶振更趋于绿色,提高本公司的社会形象.EPSON晶振,温补晶振,TG5032CAN晶振,X1G0044310086晶振
爱普生晶振集团不断改进设计,优化工艺,调整工厂布局,采取相应措施,减少各种污染环境的因素,尽可能地节省TCXO晶体振荡器资源和能源,积极保护厂区和周围地区的环境,在本公司,贴片晶振,压电石英晶体、有源晶体的生产与经营过程中充分考虑对环境的影响,为人类的健康生存和持续发展作出贡献.
爱普生晶振环境管理体系：在每一个运行部门,实施支持方针的系统的环境管理工具.我们将确保适当的人力资源和充分的财力保障.每年我们都将建立可测量的环境管理以及行为改进汽车电子晶振的目标和指标. 环境行为评价：评价我们运行以及员工的环境行为表现,确认支撑着本方针的成绩.我们将向我们的员工提供信息,以及能够将方针与各自工作职责完全结合的培训.
深圳市龙湖电子有限公司
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