石英晶振,晶体振荡器,NV5032S晶振

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NDK晶振,贴片晶振,NV5032S晶振

频率：15.0~2100.0MHz

尺寸：5.0*3.2mm

温补晶振(TCXO)产品本身具有温度补偿作用,高低温度稳定性:频率精度高0.5 PPM-2.0 PPM,工作温度范围:-30度至85度,电源电压:1.8V-3.3V之间可供选择,产品本身具有温度电压控制功能,世界上最薄的晶振封装,频率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因产品性能稳定,精度高等优势,被广泛应用到一些比较高端的数码通讯产品领域,GPS全球定位系统,智能手机,WiMAX和蜂窝和无线通信等产品,符合RoHS/无铅.

订购热线：0755-29952551

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NDK晶振,贴片晶振,NV5032S晶振，日本电波工业株式NDK晶振会社作为压电石英晶体元器件、压电石英晶振、有源晶振、压电陶瓷谐振器、石英晶振器件的专业生产厂家，以“通过对客户的服务，为社会繁荣和世界和平作出贡献”的创业理念为基础于1948年成立。现在我们作为提供电子业必不可少的，在丰富用途被广泛使用的晶体元器件产品以及应用水晶技术的传感器等新的高附加价值产品的频率综合生产厂家，正以企业的继续成长为目标而努力。
日本电波工业株式NDK晶振经营范围：晶体谐振器、晶体振荡器等晶体元器件、应用器件、石英晶振,陶瓷晶振,声表面谐振器,有源晶振,压控振荡器,贴片晶振,人工水晶及芯片等的晶体相关产品的制造与销售。

石英晶振真空退火技术：晶振高真空退火处理是消除贴片晶振在加工过程中产生的应力及轻微表面缺陷。在PLC控制程序中输入已设计好的温度曲线，使真空室温度跟随设定曲线对晶体组件进行退火，石英晶振通过合理的真空退火技术可提高晶振主要参数的稳定性，以及提高石英晶振的年老化特性。

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NDK晶振	单位	NV5032S晶振	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	15.0~2100.0MHz	标准频率
储存温度	T_stg	-40°C ~+85°C	裸存
工作温度	T_use	-10°C~+70°C	标准温度
激励功率	DL	1000μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±20 × 10^-6 (标准)	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息, http://www.longhusz.com/
频率温度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	16PF	不同负载电容要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

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NDK-2

NV5032S-5.0_3.2 VCXO

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所有产品的共同点
1：抗冲击
抗冲击是指晶振产品可能会在某些条件下受到损坏.例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击.如果产品已受过冲击请勿使用.因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响.
2：辐射
将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免阳光长时间的照射.
3：化学制剂 / pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解石英晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品.
4：粘合剂
请勿使用可能导致石英晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂.（比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能.）
5：卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用晶振.即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀.同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂.
6：静电
过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件.请为容器和封装材料选择导电材料.在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作.NDK晶振,贴片晶振,NV5032S晶振

日本电波工业株式NDK晶振已经建立和正在推动一项中期计划的具体减排目标，以减少二氧化碳的排放是全球变暖的原因。它也有助于减少（抑制）CO2排放量，通过使用最先进的技术，实现最小化，以及减少石英晶体谐振器,石英晶体的重量和功耗，以支持社会的需要。
日本电波工业株式NDK晶振的新概念的温补晶振,石英晶体振荡器器件。通过产品生命周期提高整体节能贡献和环境绩效的举措。制造-环境友好生产—优化-提高性能/效率的节能贡献—通过制造致密/复杂产品减少资源节约—环境消除/减少环境负荷物质—这些是倡议的支柱。
制造业-环保生产—我们将介绍一些情况下，发现CO2排放量的产品生命周期使用环境LCA方法。

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