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大真空GNSS授时模块晶振,7DF01920A09,DSA211SDN温补晶振

频率:19.2MHZ

尺寸:2.0x1.6mm

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高质量晶振产品广泛应用于移动电话、GPS/GNSS、工业无线通信设备等.大真空GNSS授时模块晶振,7DF01920A09,DSA211SDN温补晶振.

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Abracon-2

LH-1

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LH-2

大真空GNSS授时模块晶振,7DF01920A09,DSA211SDN温补晶振      参数表

型号名称 DSA211SDN (VC-TCXO )
输出频率范围 19.2MHz
标准频率 19.2 MHz/26 MHz/38.4 MHz/40 MHz/52m Hz
电源电压范围 +1.68~+3.5V
电源电压( Vcc ) +1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V
消耗电流 +1.5mA max.(f≦26MHz )/+2.0mA max.(26
输出电压 0.8Vp-p min.(f≦52MHz ) (削波正弦波/DC-coupled )
输出负载 10kΩ//10pF
频率稳定度 常温偏差 ±1.5×10-6max.(After 2 reflows )
温度特性 ±1.0×10-6±2.5×10-6max./-30~+85℃
±1.0×10-6±2.5×10-6max./-40~+85℃(Option )
电源电压特性 ±0.2×10-6max.(V抄送±5% )
负荷变动特性 ±0.2×10-6max.(10kΩ//10pF±10% )
经时变化 ±1.0×10-6max./year
频率控制 控制灵敏度 ±3.0×10-6~±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V @V抄送≧+2.6V
±3.0×10-6~±5.0×10-6/Vcont=+0.9V±0.6V @V抄送=+1.8V
频率控制极性 正极性
启动时间 2.0ms max.。
相位噪声
Offset 100Hz
Offset 1kHz
Offset 10kHz
Offset 100kHz
[f≦26MHz]
-115dBc/Hz
-130dBc/Hz
-150dBc/Hz
-155dBc/Hz
[26MHz -110dBc/Hz
-130dBc/Hz
-150dBc/Hz
-155dBc/Hz
[40MHz -105dBc/Hz
-125dBc/Hz
-145dBc/Hz
-150dBc/Hz
包装单位(1) 3000pcs./reel(φ180 )
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大真空GNSS授时模块晶振,7DF01920A09,DSA211SDN温补晶振     尺寸图

DSA211SDN,DSB211SDN.2016

大真空GNSS授时模块晶振,7DF01920A09,DSA211SDN温补晶振

温补晶振产品特点:

低电压对应

低相位噪声

单封装结构

DSA1612SDN,DSA211SDN,DSA221SDN,DSA321SDN,DSB1612SDN,DSB211SDN,DSB221SDN,DSB321SDN

晶振厂家 原厂代码 型号 尺寸 频率 负载/电压
KDS晶振 1XSA050000AVW DSO751SV 7050 50.000M 3.3V
KDS晶振 ZC12456 DSB211SDN 2016 16.320M 3.3V
KDS晶振 1XXD16367MAA DSB211SDN 2016 16.367667M 3.3V
KDS晶振 1XXB16367MAA DSB221SDN 2520 16.367667M 2.8V
KDS晶振 1XXD24000MBA DSB211SDN 2016 24.000M
KDS晶振 1XXD26000MAA DSB211SDN 2016 26.000M
KDS晶振 1XXD38400MFA DSB211SDN 2016 38.400M
KDS晶振 1XXD40000PDA DSB211SDN 2016 40.000M
KDS晶振 1XXD32000PBA DSB211SDN 2016 32.000M
KDS晶振 1XXD52000PBA DSB211SDN 2016 52.000M
KDS晶振 ZC12467 DSA211SDN 2016 16.32M 3.3V
KDS晶振 7DF01920A09 DSA211SDN 2016 19.200M
KDS晶振 1XXC20000MAA DSA211SDN 2016 20.000M
KDS晶振 1XXB16369JFA DSB221SDN 2520 16.369M 3.3V
KDS晶振 1XXB24000MEA DSB221SDN 2520 24.000M
KDS晶振 1XXB25000PAA DSB221SDN 2520 25.000M
KDS晶振 1XXB26000MAA DSB221SDN 2520 26.000M
KDS晶振 1XXB30000MBA DSB221SDN 2520 30.000M
KDS晶振 1XXB32000PAA DSB221SDN 2520 32.000M
KDS晶振 7ED03360A00 DSB321SDN 3225 33.6M
KDS晶振 7ED01638A03 DSB321SDN 3225 16.384M
KDS晶振 1XSE022579ARC DSO321SR 3225 22.5792M
KDS晶振 1XTQ19200ELA DSA535SG 5032 19.200M
KDS晶振 1XXA26000FSB DSA221SCL 2520 26.000M
KDS晶振 1XXB38400MCB DSB221SDN 2520 38.4M 3.3V
KDS晶振 7EE05200A02 DSB221SDN 2520 52.000M
KDS晶振 1XXA10000MBA DSA221SDN 2520 10.000M 3.3V
KDS晶振 1XXA26000MAA DSA221SDN 2520 26.000M
KDS晶振 1XXA32000MBA DSA221SDN 2520 32.000M
KDS晶振 1XXA20000CAA DSA221SDN 2520 20.000M 3.3V
KDS晶振 1XTW16368FEA DSB321SCL 3225 16.368M 2.8V
KDS晶振 1XSE009600AV DSO321SV 3225 9.6M 3.3V
KDS晶振 1XSE098304AR2 DSO321SR 3225 98.304M 3.3V
KDS晶振 1XTW38400MAA DSB321SDN 3225 38.400M
KDS晶振 1XTV21700PAA DSA321SDN 3225 21.7M
KDS晶振 ZC12965 DSA321SDN 3225 23.04M 3.3V
KDS晶振 1XVD008192VB DSV321SV 3225 8.192M 3.3V
KDS晶振 1XVD024000VA DSV321SV 3225 24.000M 3.3V
KDS晶振 1XVD030240VA DSV321SV 3225 30.240M 3.3V
KDS晶振 1XVD051993VB DSV321SV 3225 51.993652M 3.3V
KDS晶振 1XVD059928VA DSV321SV 3225 59.9285M 3.3V
KDS晶振 1D73375GR1 DSF633SDF 6035 73.35M
KDS晶振 1D21407AQ3 DSF753SAF 7050 21.400M
KDS晶振 1D21430FQ4 DSF753SCF 7050 21.4M
KDS晶振 1D44818GQ1 DSF753SBF 7050 44.85M
KDS晶振 1D49915GQ24 DSF753SDF 7050 49.95M
KDS晶振 1D51610GQ1 DSF753SBF 7050 51.65M
KDS晶振 CSTLS8M00G53-B0 CSTLS 9060 8.000M 15PF
KDS晶振 CSTLS4M00G53-B0 CSTLS 9060 4.000M 15PF
KDS晶振 CSTNE8M00G520000R0 CSTNE 3213 8.000M 10PF
KDS晶振 CSTNE8M00G550000R0 CSTNE 3213 8.000M 33PF
KDS晶振 CSTNE10M00G520000R0 CSTNE 3213 10.000M 10PF
KDS晶振 CSTNE10M00G550000R0 CSTNE 3213 10.000M 33PF
KDS晶振 CSTNE12M0G550000R0 CSTNE 3213 12.000M 33PF
KDS晶振 CSTNE16M0V53-R0 CSTNE 3213 16.000M 15PF
KDS晶振 XRCGB24M00F0L00R0 XRCGB 3225 24.000M


LH-6

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