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用于振荡器优化的多维分段多项式阵列补偿M-SAC技术

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浏览:- 发布日期:2018-09-18 10:44:39【
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用于振荡器优化的多维分段多项式阵列补偿M-SAC技术

  多维分段阵列补偿(M-SAC)技术是改善振荡器环境性能的平台.M-SAC技术的环保方法补偿可以集成到分立振荡器,定制ASIC或系统级硬件中.技术进步通过为用户提供基本上优越的曲线拟合工具,石英晶体振荡器补偿的现有技术水平.与其他不同当代拟合方法,用户可以定义最大误差限制,M-SAC方法将找到解决方案符合这个标准.这适用于一维误差,例如频率与温度或多维误差,例如调整效果(频率与控制电压与温度的关系).使用M-SAC补偿工具,可以拟合数据降到噪音水平.

  什么是M-SAC?传统的振荡器补偿方案利用整个数据集的单多项式拟合.这种方法几十年来,从热敏电阻网络到现代的五阶多项式ASIC都有所改进.这些方法最终受到限制,因为ASIC中的晶振和函数发生器都不会产生"完美的"多项式.M-SAC技术通过将解决方案分解为适合a的区段,提供卓越的曲线拟合更好的程度.该算法分析输入的最大允许残差和斜率公差用户并计算由满足用户标准的段组成的解决方案.为此,M-SAC算法评估一组可能的函数,并为解密度选择最佳函数.下面的图1,2,3说明了M-SAC技术将为您的温度补偿晶振提供的优势架构和技术清晰,为最先进的技术提供了实质性的改进目前正在整个行业中使用.

用于振荡器优化的多维分段多项式阵列补偿M-SAC技术

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  ERDM-SAC知识产权是大规模生产环境的理想选择.由于分段性质,数据可以适合与测试运行同时进行,以便在运行结束时需要最小数量的运算,从而最大化吞吐量.对于一维数据,解决方案时间仅为几秒,对于多维数据,解决时间仅为30.如果使用伴随ERD测试硬件,通过在所有通道上同时提供数据采集来优化测试和解决方案时间并采用专有方法减少石英振荡器温度测试中常见的错误.

  1显示了COTS2.0mm×1.6mmTCXO的频率-温度性能和配合用单个五阶多项式实现.TCXO晶振的固有性能约为967ppb-峰值.这基本上是市场上大多数TCXO ASIC提供的当前最先进的性能今天.如图1所示,此拟合的残余峰峰值误差约为170ppb.错误减少是5.71.M-SAC技术允许用户定义适合的可接受误差水平.用户定义的错误50-ppb-峰值,M-SAC解析了三段溶液,-峰残留误差为42ppb.这个合适上表图2显示了残余误差,只有21个存储元件.

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  该技术实现了改进231超过了固有的表现.M-SAC的强大之处在于,只要用户不受数据存储的影响,数据就可以适应噪声限制.3显示了相同的数据集,其中用户定义的误差为2ppb-峰值.解决方案是在指定限制内但使用25个段,需要132个存储元素.这导致了理论上的结果改善4831.M-SAC技术是唯一允许用户定义剩余误差限制的OSC晶振拟合模式结果.高级工具还允许用户定义斜率限制,从而为用户提供更多控制和精度在适合和最终的解决方案.

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