SiT1630是一款针对电池供电应用进行了优化的超低功耗振荡器,SiT1630AI-H4-DCC-32.768S

SiT1630是一款超小型超低功耗32.768kHz振荡器，针对电池供电应用进行了优化。SiTime的MEMS振荡器由MEMS谐振器和一个可编程模拟电路组成。我们的MEMS谐振器采用SiTime独特的MEMS First工艺制造。一个关键的制造步骤是EpiSeal，在此过程中，MEMS谐振器在1000°c以上的温度下退火。EpiSeal创建了一个非常坚固、干净的真空室，用于封装MEMS谐振器，并确保最佳性能和可靠性。在EpiSeal期间，在谐振器腔的顶部生长多晶硅帽，这消除了对额外的帽晶片或其他外来封装的需要。因此，SiTime的MEMS谐振器芯片可以像任何其他半导体芯片一样使用。SiTime的MEMS优先和EpiSeal制造工艺的一个独特成果是能够将SiTime的MEMS芯片与SOC、ASIC、微处理器或模拟芯片集成在一个封装内，以消除外部时序元件，并为客户提供高度集成、更小、更便宜的解决方案。

SiT1630是一款针对电池供电应用进行了优化的超低功耗振荡器。它支持32.768k或16.384kHz频率，采用小型2.0x1.2mm封装，具有低功耗和1.5V至3.63V的工作电源电压，非常适合移动和手持应用，是现有32kHz振荡器的低功耗替代品。

编码SiT1630AI-H4-DCC-32.768S，SiT1630系列特性:

<20ppm初始公差
-40°C至+85°C温度范围内的稳定性小于100ppm
小型贴片封装:2.0x 1.2mm
面向工业和汽车应用的SOT23-5封装选项
超低功耗:典型值1.0安
Vdd电源电压范围:1.5V至3.63V
宽工作温度范围选项
内部滤波消除了外部Vdd旁路电容
无铅、符合RoHS和REACH标准

频率稳定性SiT1630经过工厂校准(调整),确保频率稳定性在室温下小于20 ppm，并且在整个温度范围内具有非常高的稳定性。与具有25°C转折点的经典音叉抛物线温度曲线的石英晶体不同，SiT1630温度系数在整个温度范围内非常平坦。用频率计数器测量SiT1630输出频率时，务必确保计数器的选通时间大于100 ms，32 kHz时钟的低频率会在较快的选通时间产生错误读数。

电源抗扰度SiT1630是一款超小型32kHz振荡器。除了消除标准XTALs常见的外部输出负载电容之外，该石英晶体振荡器器件还具有特殊的电源滤波功能，因此无需外部Vdd旁路去耦电容。这一特性进一步简化了设计，并使尺寸尽可能小。内部电源滤波旨在抑制150 mVpp以上的交流噪声和10 MHz以上的频率成分。

上电SiT1630在300 ms内启动至有效输出频率(典型值为180 ms)。为确保器件在规定限值内启动，请确保电源在大约10–20 ms内斜升(至Vdd的90%以内)。

1)没有超声波清洗。不要将SiT1630置于超声波清洁环境中。MEMS结构可能会发生永久损坏或长期可靠性问题。
2)对于高噪声、高电磁环境，我们建议采用以下设计准则:
1.将振荡器放置在尽可能远离电磁噪声源的地方(例如高压开关调节器、电机驱动控制)。
2.将数字数据线或高di/dt电源线等高噪声PCB走线远离SiTime振荡器。
3.添加一个0.1uF至1.0uF的低ESR/ESL陶瓷电容(X7R)，帮助滤除Vdd电源线路上的高频噪声。尽可能靠近SiTime振荡器Vdd引脚。
4.在SiTime振荡器下方放置一个实心GND平面，以屏蔽振荡器，使其免受其它电路板层上的噪声干扰。