在众多的频率元件制造商中,来自美国的Pletronics晶振公司创建于1979年,主要研发生产晶振,石英晶振,有源晶体,石英晶体振荡器等元件.至今已有超过30年之久的工程和制造经验.所生产的产品使用范围广包括亚洲,欧洲和北美的制造业.Pletronics晶振公司拥有国际工程,物流和销售支持.产品设计创新,价格竞争有优势,订货交期时间短在业界具有较好的声誉.
不时要求我们推荐电源去耦和布局的解决方案.本应用笔记将通过提供提供良好结果的解决方案和关于可能产生不良结果的解决方案的警告来解决这些问题.
Pletronics晶振的设计和测试符合最高质量和性能标准.随着电源电压和温度的变化,我们的振荡器将满足其规格.然而,振荡器电源输入端的噪声会降低抖动和相位噪声性能.为了获得最佳性能,最好在振荡器之前将高频元件从电源上去耦.
电源旁路设计从低阻抗电源和接地连接开始.这最好由包含内部电源和接地层的多层印刷电路板来提供.包括大容量电源旁路电容,以减少电源纹波并提高电源浪涌能力.目标应用板上的任何地方都可能存在大容量旁路电容.
与体旁路电容不同,振荡器的高频旁路电容尽可能靠近振荡器放置.图1显示了Pletronics振荡器的典型旁路配置.图1所示的电容值可用于所有产品系列.
关于电容器,需要补充一些意见.环境影响评价将电容器分为四类.第一类是最稳定的,包括零温度系数NPO电容,用于分立晶体应用中的负载电容.第四类虽有规定,但不常见.二级和三级是最常用的.对于振荡器旁路应用,Pletronics建议至少使用X5R电容.该类电容额定温度范围为-55℃至+80℃,在该温度范围内具有出色的漂移特性,出色的高频特性和良好的体积效率.表1总结了常见的EIA二类和三类电容器的特性
除了图1所示的旁路电容网络,一些设计人员还在振荡器和电源之间插入串联阻抗,以创建低通滤波器,从而进一步隔离振荡器.这个简单滤波器的截止频率由下式给出
增加的阻抗,无论是电阻性的还是电感性的,都可以与正常的容性旁路网络串联,或者置于两个旁路电容之间.这些连接如图2所示.
每当电阻器与电源串联时,都必须小心.与电源串联的电阻值非常小,足以将VCC降至振荡器的VCCmin以下.数据手册中规定了Pletronics振荡器的最大电流值,范围从我们的一些32.768K千赫实时时钟振荡器的5uA到更高频率LVPECL振荡器的90mA.表2提供了ICC,VCC和电源容差组合的最大电阻值
在电源和振荡器之间插入串联铁氧体磁珠也是可以接受的.设计者应选择低品质,非谐振铁氧体磁珠(也称为损耗磁珠或吸收磁珠).高品质铁氧体磁珠或电感可以利用旁路和寄生电容产生谐振回路.为该应用选择铁氧体磁珠时,必须考虑磁珠的DC电阻.DC电阻为1欧姆或更大并不少见.
引线长度和印刷电路板布局是实现最佳性能的重要考虑因素.图3显示了紧密间隔,接地层的使用和并联电容去耦.
Pletronics公司历史
Pletronics投资石英晶体技术,为需要频率控制设备的用户提供最新的大批量产品.Pletronics已成立合资企业和子公司,以提供最高频率,最高质量的零件.
2016年-开发OGMTCXO
2015年-开发了OeM8/OeS8改进的TCVCXO振荡器
2014年-开发超低噪声PECL/LVDS/HCSL振荡器
2013年-开发GypSync™TCXO模块
2011年-开发出LC振荡器技术振荡器
2010年-推出低功耗OeXO系列产品,TCVCXO替代许多OCXO应用扩展TCVCXO的生产和测试能力
2009年-推出用于FemtoCell和PicoCell频率控制的超精密TCXO,+/-0.1ppmTCVCXO.
2008年-在日本开设的合资企业运营增加了高频CMOS,LVDS和PECL产品的电容器.与AXTALGmbH＆Co.KG建立合作关系,以支持他们在美洲的OCXO,Langasite和Langatate坯料和晶圆.推出高稳定性CMOSTCXO.
2007年-开始开发低成本OCXO晶振,特别是FemtoCell和PicoCell频率控制解决方案开始为医疗领域开发专门构建的振荡器和VCXO.
2006年-推出LV9/PE9/VPU7/VLU7LVDS和PECL时钟振荡器以及VCXO.首批1GHzPECL5x7mm振荡器出货.
2006年-将完成开发用于高频PECL和LVDS时钟振荡器和VCXO的新ASIC.
2005年-高频率和低抖动
使用电子技术提供高频率的第一个高频（106.25MHz和212.5MHz）低抖动和低成本LVDS和PECL振荡器已批量出货.Pletronics为这两项代工厂提供了支持我们客户需求的技术.重组了公司的代表,以提供额外的客户设计和应用支持
2004年-与大韩民国的铸造厂建立合资企业
当使用电子倍增方案的高频解决方案在经济上可行时,HFF产品开发已经结束
2003年-在新加坡和香港开设国际支持中心
2002年-由BSI注册为ISO9001：2000
2001年-开始开发“倒置台面”高频基波(HFF)晶体产品
目标是能够制造300MHz以上的基本模式AT切割晶体.开始制造PECL和LVDS振荡器
2000年-Namhan工厂出售
当Pletronics的产品组合发生变化时,铸造厂被出售,升级设施是不切实际的.此外,当韩国提高劳动力率时,需要增加自动化.用于制造微型陶瓷器件的"在线"自动化制造模型意味着独立的合同设施更能满足Pletronics的需求.
1998年-Bekly公司关闭并整合到Pletronics.
当塑料J铅包不再满足客户需求时,该设施终止.封装太高,长引线不能满足不断增加的带宽要求.
1997年-与AvanceInc.和SaronixInc.的合资企业被终止.
“tabmesa”晶体的生产成本不符合Pletronics的产品需求.
1996年-由BSI注册为ISO9001-1994
1995年-被华盛顿州认证为少数股权企业.
1989年-与AvanceInc和SaronixInc.
成立合资公司.该合资公司的目的是开发一种可以批量生产的高频石英晶振.这项合作促成了“tabmesa”高频基础晶体的发展.
1988年-BeklyCorporation成为Pletronics的全资子公司.
位于太平洋西北地区的半自动化设施,用于制造小型脚印振荡器,专门用于塑料模塑零件
1983年-在大韩民国开设了一家独资铸造厂(Namhan)
建立了生产高端振荡器的工厂.主要是一个DIP包装工厂
1979年-Pletronics在美国华盛顿州注册成立
