Transko首发VTXLN系列超低相位噪声VCTCXO
在高端电子设备向精密化,高频化,智能化迭代的浪潮中,时频精度已成为衡量设备核心性能的关键指标,而相位噪声作为衡量时频器件性能的核心参数之一,直接决定了设备的信号纯度,传输质量与测量精度,其性能表现甚至直接影响整个系统的运行稳定性与可靠性.传统VCTCXO(压控温补晶体振荡器)虽具备温补,压控双重核心优势,可实现频率的精准调节与环境温度补偿,广泛应用于各类中高端时频场景,但受限于传统技术设计,晶体加工工艺与电路布局水平,在相位噪声控制上存在明显短板,难以满足高端通信,精密测试,量子通信等场景对低噪声,高稳定的严苛需求.例如在微波光子雷达场景中,相位噪声过高会导致雷达成像分辨率下降,目标识别精度降低;在量子密钥分发场景中,相位噪声过大会干扰密钥的精准传输与同步,导致密钥误码率升高,甚至影响整个量子通信网络的安全运行.基于此,Transko研发团队精准聚焦行业痛点,依托数十年时频技术积淀与30余项核心专利储备,组建专业研发团队历经多轮技术攻关,工艺优化与严苛测试,攻克晶体噪声抑制,恒温控制精度,电路噪声屏蔽等核心技术难题,推出VTXLN系列超低相位噪声VCTCXO,实现相位噪声性能的跨越式突破,填补高端低噪声VCTCXO压控温补晶振市场的技术空白,为高端场景提供更优的时频解决方案.
核心突破:超低相位噪声,筑牢高端时频基准
VTXLN系列最核心的技术亮点,在于实现了超低相位噪声的精准控制与稳定输出,相较于传统VCTCXO产品,其相位噪声性能提升一个数量级以上,从源头解决了高端场景中信号干扰,精度不足的核心痛点,为各类高端设备提供更纯净,更稳定的频率基准,助力设备实现性能跃升.这一突破性成就的实现,并非单一技术的升级,而是得益于Transko三大核心技术的协同赋能,每一项技术都经过长期研发与实践验证,彰显了Transko在时频器件领域的深厚技术积淀与创新实力,也体现了Transko对高端场景需求的精准洞察.
(一)核心技术赋能,实现相位噪声极致优化
VTXLN系列采用Transko特兰斯科贴片晶振自主研发的超低噪声晶体谐振技术,高精度恒温控制技术与低噪声电路设计,三者协同发力,相互支撑,从晶体基材,温度控制,电路优化三个核心维度,实现相位噪声的全方位,多层次抑制,构建起"源头降噪+过程控噪+外部隔噪"的全链条噪声控制体系.在晶体基材方面,VTXLN系列选用高纯度人工合成石英晶体,纯度可达99.999%以上,相较于行业常规晶体,其内部缺陷更少,振动特性更稳定,经过精密切割,高精度抛光与长达1000小时以上的老化处理,有效降低晶体本身的振动噪声与热噪声,从源头提升频率输出的纯净度.这种高纯度晶体基材的频率稳定性与噪声抑制能力,远超行业常规晶体,可将晶体自身噪声降低40%以上,为VTXLN系列的超低相位噪声性能奠定了坚实基础,也确保了产品长期运行的稳定性.
在恒温控制方面,温度波动是导致相位噪声恶化的核心因素之一,传统VCTCXO的恒温控制精度较低,难以有效抵消环境温度变化对晶体振动的影响.VTXLN系列搭载Transko自研的高精度数字控温算法与微型恒温槽结构,恒温控制精度可达±0.01℃,相较于传统VCTCXO的±0.1℃精度大幅提升,可精准将晶体工作温度维持在最优拐点温度,有效抵消环境温度波动(-40℃~+85℃)对晶体振动的影响,避免温度变化导致的相位噪声恶化与频率漂移.同时,微型恒温槽采用高效隔热材料与优化的散热结构,隔热性能较传统恒温槽提升50%以上,既能快速实现恒温稳定(预热时间缩短至30秒以内),大幅提升设备启动效率,又能减少自身发热对周边电路的干扰,进一步降低系统层面的噪声干扰,形成"精准控温+高效隔热+低干扰"的恒温控制体系,为超低相位噪声输出提供稳定保障.
在电路设计方面,电路自身的热噪声,电磁噪声是影响相位噪声的另一重要因素,VTXLN系列采用低噪声放大电路与全方位电磁屏蔽设计,通过优化电路布局,缩短信号传输路径,选用低噪声元器件(如低噪声晶体管,高精度电容电阻),最大限度抑制电路自身的热噪声,电磁噪声,可将电路自身噪声降低30%以上.同时,产品采用全屏蔽式封装结构,封装外壳选用高导电,高屏蔽效能的特种合金材质,内部设置独立的电磁屏蔽层,可有效隔绝外部电磁干扰(如工业设备,通信信号,高频辐射等),屏蔽效能达到行业领先水平.结合晶体噪声的有效抑制,最终实现VTXLN系列的超低相位噪声表现,其相位噪声指标可达-150dBc/Hz@1kHz(10MHz频段),远超传统VCTCXO的-130dBc/Hz@1kHz水平,甚至可媲美部分高端OCXO产品,在同类型VCTCXO产品中处于行业领先地位.此外,该系列产品还采用Transko自主研发的相位噪声补偿技术,通过算法优化对高频段的噪声进行精准补偿,规避传统产品因倍频链噪声累积导致高频段相位噪声急剧恶化的问题,实现全频段(1MHz~100MHz)的低噪声输出,适配不同频段的高端应用需求.
(二)兼顾多重优势,适配高端场景多元需求
VTXLN系列并未局限于相位噪声的单一突破,而是在保持超低相位噪声核心优势的同时,兼顾频率稳定性,压控灵活性,小型化设计等多重优势,实现"高性能,多适配,易集成"的综合特性,完美适配高端场景的多元需求,打破"高端性能必牺牲适配性"的行业认知.在频率稳定性方面,VTXLN系列依托高纯度晶体基材与高精度恒温控制技术,频率稳定度可达±0.05ppm(-40℃~+85℃宽温域),老化率低至±0.3ppb/天(1ppb为十亿分之一),远优于传统VCTCXO低功耗晶振的±0.1ppm频率稳定度与±1ppb/天老化率,可确保设备在长期连续运行过程中(使用寿命可达5-10年),频率输出的稳定性与一致性,避免因频率漂移导致的信号失真,测量误差等问题,精准适配精密测试,高端通信等对频率精度要求严苛的场景,为设备稳定运行筑牢时频基准.
在压控特性方面,VTXLN系列支持宽范围压控调节,压控灵敏度可达1~100ppm/V,可根据客户具体需求灵活选型,调节精度高,响应速度快(响应时间≤10μs),远优于传统VCTCXO的响应速度,可灵活适配不同设备的频率微调需求.无论是通信设备的频率同步,基站信号校准,还是测试仪器的频率精准调节,都能实现快速,精准的频率控制,提升设备的运行效率与稳定性.同时,该系列产品支持宽电压供电(3.3V~5V),兼容不同设备的供电需求,无需额外配备专用电源模块,进一步提升产品的适配性与集成便利性,降低客户的设备设计与集成成本.此外,产品还具备优异的电压稳定性,在供电电压波动±10%的情况下,频率输出偏差仍可控制在±0.01ppm以内,确保设备在复杂供电环境中依然能稳定运行.
在小型化设计方面,随着5G微站,便携式精密测试仪器,车载高端模块,量子通信终端等设备向小型化,集成化方向快速迭代,对时频器件的体积要求愈发严苛.VTXLN系列采用Transko低抖动晶振自主研发的高密度集成工艺与超薄封装设计,在保证性能不打折,可靠性不降低的前提下,对内部电路与结构进行优化整合,将封装尺寸缩小25%以上,封装规格覆盖5mm×3.2mm×1.2mm~8mm×5mm×2mm多种规格,可根据不同设备的空间需求灵活选型.其中,5mm×3.2mm×1.2mm规格的型号,体积仅为传统同性能VCTCXO的75%,小巧的身形可轻松嵌入小型化高端设备内部,无需额外占用过多安装空间,为设备设计师提供更广阔的设计空间,无需为适配时频器件而牺牲设备的便携性与集成性.这种小型化设计,完美适配5G微站,便携式精密测试仪器,车载高端模块,量子通信终端等小型化设备的集成需求,助力设备向更轻薄,更便携,更集成的方向迭代升级.
(三)严苛环境适配,保障极端场景可靠运行
高端时频应用场景往往面临高低温,振动,电磁干扰,高湿度等复杂恶劣环境,对器件的可靠性与环境适应性提出极高要求,器件的环境适应能力直接决定设备的使用寿命与运行稳定性.VTXLN系列经过严苛的工业级测试与验证,在环境适应性方面表现优异,可从容应对各类极端场景的使用需求,为极端环境下的时频应用提供可靠支撑.其工作温度范围覆盖-40℃~+85℃,可适应北方冬季户外极端低温(-40℃)与工业高温车间的恶劣环境(+85℃),即使在高低温循环切换(-40℃~+85℃反复切换1000次以上)场景中,相位噪声与频率稳定性依然保持最优水平,无任何性能衰减;抗震强度可达800G(加速度),远超行业同类产品的600G标准,内部采用加固型引线设计与柔性缓冲结构,引线选用高强度导电合金材质,搭配精准的封装工艺,可有效吸收设备跌落,振动,冲击带来的冲击力,避免内部晶体与电路损坏,确保频率输出稳定;屏蔽效能达到35dB以上,可有效隔绝外部电磁干扰,确保在工业车间,基站周边,航空航天辅助设备等复杂电磁环境中稳定运行,不受外部电磁辐射的影响.此外,产品还具备优异的防潮性能,经过湿热测试(温度40℃,湿度90%,持续1000小时)后,性能无任何异常,可适配高湿度工业场景与户外潮湿环境.
全场景赋能,解锁高端时频应用新可能
凭借超低相位噪声,高频率稳定性,灵活压控特性与强环境适应性,VTXLN系列超低相位噪声VCTCXO打破了传统VC-TCXO晶振的应用局限,可广泛适配高端通信,精密测试,航空航天辅助,量子通信,车载高端电子,微波光子雷达等多个核心领域,为各行业的技术升级与产品创新提供核心时频支撑,解锁高端时频应用的全新可能,进一步拓宽Transko时频产品的应用边界,彰显Transko在高端时频领域的核心竞争力.无论是高端通信的高速传输,精密测试的精准测量,还是航空航天的极端环境适配,VTXLN系列都能凭借卓越性能,为设备提供稳定,纯净的时频基准,助力各行业实现技术突破与产品升级.
在高端通信领域,VTXLN系列可广泛适配5G毫米波终端,光纤通信设备,卫星通信终端,量子通信终端等产品,凭借超低相位噪声性能,有效降低信号误码率,提升通信质量与传输速率,支撑5G高阶调制技术(如1024QAM)与星地通信高码率传输的实现,助力5G通信向高速率,低时延,广连接方向发展.在5G毫米波通信场景中,相位噪声过高会导致信号失真,频谱效率下降,而VTXLN系列的超低相位噪声的输出,可确保毫米波信号的纯净度,提升信号覆盖范围与传输稳定性;在量子通信网络中,该系列产品可适配量子密钥分发,量子纠缠态传输等场景,满足对光源噪声抑制,全局相位高精度锁定的严苛需求,为大规模量子密钥分发网络提供稳定的时频基准,保障量子通信的安全性与可靠性,推动量子通信技术的产业化应用.
在精密测试领域,VTXLN系列可作为高端示波器,信号发生器,频谱分析仪,频率计数器,精密万用表等测试仪器的核心频率基准,其超低相位噪声性能可大幅提升测试仪器的测量精度与稳定性,减少信号干扰带来的测量误差,确保测试数据的准确性与可靠性,助力科研机构,企业研发部门实现更高精度的测试与分析工作.尤其适配微波光子雷达,半导体芯片测试,光纤器件测试等对低噪声,高分辨成像,高精度测量要求极高的测试场景——在微波光子雷达测试中,VTXLN系列的超低相位噪声可提升雷达的成像分辨率与目标识别精度,助力雷达技术向高精度,高灵敏度方向发展;在半导体芯片测试中,可确保测试仪器的频率基准稳定,精准检测芯片的性能参数,助力芯片研发与生产的质量管控,推动半导体产业向高端化升级.
在航空航天6G晶振辅助领域,VTXLN系列可适配航空航天地面设备,卫星导航终端,深空探测辅助设备,机载通信设备等,凭借强环境适应性与高可靠性,在高低温,强振动,强电磁干扰,真空等极端环境中稳定运行,为航空航天设备的时序同步,信号传输,精准控制提供可靠时频支撑.在卫星导航终端中,该系列产品的高频率稳定性可确保导航信号的精准同步,提升导航定位精度;在深空探测辅助设备中,其强环境适应性可抵御深空环境的极端低温与强辐射,确保设备稳定运行,助力深空探测,卫星通信等领域的技术升级,为航空航天事业的发展提供核心时频保障.
在车载高端电子领域,随着车载电子向高端化,智能化迭代,ADAS辅助驾驶系统,车载导航系统,车载通信模块,车载雷达等终端对时频器件的可靠性与性能要求愈发严苛.VTXLN系列适配各类车载高端终端,可抵御汽车行驶过程中的高低温循环(-40℃~+85℃),剧烈振动,电磁干扰(车载雷达,发动机等产生的电磁辐射)等复杂环境,确保设备稳定运行.在ADAS辅助驾驶系统中,其高频率稳定性与超低相位噪声可确保雷达,摄像头等传感器的数据同步采集与传输,提升自动驾驶的精准性与安全性;在车载导航系统中,可确保定位精度,避免因频率漂移导致的定位误差,提升导航体验;同时,其低功耗设计也能适配新能源汽车的低功耗需求,助力车载电子向高端化,智能化,绿色化迭代.
品牌加持,品质护航:Transko的匠心坚守
作为深耕时频器件领域数十年的创新企业,Transko始终将品质与创新放在首位,以匠心铸品质,以严苛守初心,为VTXLN系列超低相位噪声VCTCXO的高品质,高可靠性提供坚实保障,延续Transko"高可靠,长寿命,高精度"的产品核心优势.VTXLN系列全面延续Transko成熟的全流程品质追溯体系,从原材料采购,晶体筛选,电路设计,封装加工到成品测试,每一个环节都严格遵循ISO9001质量管理体系,ISO14001环境管理体系等国际最高行业标准,配备先进的检测设备与专业的检测团队,实现从原材料到成品的全流程品质管控,确保每一款产品的一致性与可靠性.其中,晶体基材均选用全球优质供应商的高纯度石英晶体,经过多轮筛选与老化测试,确保晶体性能稳定;封装材料选用高强度,高导热,抗干扰的特种材质,保障器件的结构稳定性与环境适应性;电路设计经过多轮优化与测试,确保低功耗,高稳定,低噪声的性能表现.
每一款VTXLN系列产品,都需经过数十项严苛的检测项目,涵盖相位噪声测试,频率稳定性测试,压控特性测试,高低温循环测试,抗震性测试,抗电磁干扰测试,长期老化测试,湿度测试,电压稳定性测试等,每一项检测都采用行业先进的测试设备,由专业检测人员全程操作,确保检测数据的准确性与权威性.其中,相位噪声测试采用行业先进的相位噪声测试仪,可精准检测产品在不同频段(1MHz~100MHz),不同温度(-40℃~+85℃)下的相位噪声表现,确保每一款产品的指标都达到预设标准;长期老化测试持续1000小时以上,模拟产品长期运行场景,确保产品在长期使用过程中性能稳定无衰减.只有全部通过所有测试项目,且经过多轮抽样复检合格后,产品才能出厂交付客户.凭借严苛的品质管控,VTXLN系列的故障率远低于行业平均水平,可达百万分之二以下,远优于行业平均的百万分之五故障率,为终端设备的长期稳定运行提供坚实保障,赢得全球客户的认可与信赖.
同时,Transko依托"研发-生产-供应链"全产业链布局优势,为VTXLN系列的稳定供应与高效服务提供有力支撑,彻底解决客户的后顾之忧.在生产端,依托全球标准化生产基地,配备先进的生产设备与自动化生产线,实现VTXLN系列的稳定量产,可快速响应客户的批量订单需求,大幅缩短交货周期,避免因供应链问题影响客户生产计划;在研发端,Transko持续投入大量资金与人力(研发投入占企业年营收的15%以上),聚焦行业技术发展趋势与客户需求痛点,不断优化VTXLN系列的产品性能,同时可根据客户的具体场景需求,提供定制化适配方案,包括相位噪声优化,频率定制(1MHz~100MHz),封装定制,功耗优化等,满足不同行业,不同场景的差异化需求;在服务端,Transko建立了完善的服务体系,提供从产品选型,测试调试,技术培训到售后维护的全流程技术支持,配备专业的技术工程师团队,24小时响应客户咨询,协助客户快速解决产品集成,调试过程中遇到的各类问题,最大限度降低客户的研发成本与周期,为客户提供全方位,高效,贴心的服务.
技术引领,赋能未来:VTXLN开启低噪声时频新征程
相较于传统VCTCXO产品,VTXLN系列以"超低相位噪声"为核心,兼顾频率稳定性,压控灵活性,小型化设计与强环境适应性,实现了"单一突破,全面提升"的产品升级,既填补了高端低噪声VCTCXO市场的空白,又为各行业高端设备的技术升级提供了更优的时频解决方案,推动时频器件向更精准,更纯净,更可靠,更小型的方向发展,为高端时频应用领域的技术进步注入新的活力.
在电子设备向高端化,精密化,智能化迭代的浪潮下,时频精度与信号纯度已成为衡量高端设备性能的核心指标,随着5G,量子通信,航空航天,精密测试等领域的快速发展,市场对超低相位噪声时频器件的需求日益增长.VTXLN系列的推出,恰逢其时地满足了市场对超低相位噪声时频器件的严苛需求,为各行业高端设备的技术升级提供了核心支撑.未来,Transko将继续坚守"技术创新,品质至上"的核心理念,持续深耕时频器件领域,不断突破技术瓶颈,完善产品矩阵,推出更多兼具高性能,高可靠性,高性价比的时频产品,涵盖VCTCXO,OCXO,TCXO,MEMS振荡器等全系列,为全球客户提供更优质,更贴合需求的时频解决方案,助力各行业实现技术升级与产品创新.
Transko将以VTXLN系列为契机,持续推动时频技术的创新与应用,深化与全球合作伙伴的合作,聚焦高端通信,精密测试,航空航天,量子通信等核心领域,精准对接客户需求,提供定制化,全方位的时频解决方案.同时,Transko贴片有源晶振将继续加大研发投入,布局下一代低噪声时频技术,结合MEMS技术,数字化控温技术,三维集成技术,推动时频器件向更小型,更低功耗,更高精度,更智能的方向发展,持续巩固在全球时频器件领域的领先地位.Transko将与全球合作伙伴携手,助力各行业实现技术升级与产品创新,共赴时频器件产业的美好未来,为全球电子产业的高质量发展注入源源不断的动力.
Transko首发VTXLN系列超低相位噪声VCTCXO
|
KDS晶振 |
1AJ250004B |
SMD-49 |
11*4.6 |
25.000MHZ |
20PF |
|
KDS晶振 |
1ZZCAA24000BE0B |
DSX211G |
2016 |
24.000MHZ |
10PF |
|
KDS晶振 |
1N227000BB0AK |
DSX321G |
3225 |
27.000MHZ |
11PF |
|
KDS晶振 |
1N230000AB0C |
DSX321G |
3225 |
30.000MHZ |
10PF |
|
KDS晶振 |
1N240000AB0J |
DSX321G |
3225 |
40.000MHZ |
15PF |
|
KDS晶振 |
1XSE098304AR2 |
DSO321SR |
3225 |
98.304MHZ |
3.3V |
|
KDS晶振 |
1AJ100005B |
SMD-49 |
11*4.6 |
10.000MHZ |
12PF |
|
KDS晶振 |
1ZN326000AB0A |
DSX221SH |
2520 |
26.000MHZ |
7PF |
|
KDS晶振 |
1AJ240006AEA |
SMD-49 |
11*4.6 |
24.000MHZ |
16PF |
|
KDS晶振 |
1AJ240006AK |
SMD-49 |
11*4.6 |
24.000MHZ |
16PF |
|
KDS晶振 |
1AJ240006BB |
SMD-49 |
11*4.6 |
24.000MHZ |
16PF |
|
KDS晶振 |
1AJ245765C |
SMD-49 |
11*4.6 |
24.576MHZ |
18PF |
|
KDS晶振 |
ZC08759 |
DSO211AH |
2016 |
25.000MHZ |
3.3V |
|
KDS晶振 |
1AR270002GA |
SMD-49 |
11*4.6 |
27.000MHZ |
12.9PF |
|
KDS晶振 |
1AR304002A |
SMD-49 |
11*4.6 |
30.400MHZ |
12PF |
|
KDS晶振 |
1XXD16367MAA |
DSB211SDN |
2016 |
16.367MHZ |
3.3V |
|
KDS晶振 |
ZC12467 |
DSA211SDN |
2016 |
16.32MHZ |
3.3V |
|
KDS晶振 |
1XXB16367MAA |
DSB221SDN |
2520 |
16.367MHZ |
2.8V |
|
KDS晶振 |
1XXB16369JFA |
DSB221SDN |
2520 |
16.369MHZ |
3.3V |
|
KDS晶振 |
ZC09382 |
DSA535SG |
5032 |
18.432MHZ |
3.3V |
|
KDS晶振 |
ZC12456 |
DSB211SDN |
2016 |
16.320MHZ |
3.3V |
|
KDS晶振 |
1ZNA32000BB0B |
DSX221G |
2520 |
32.000MHZ |
12PF |
|
KDS晶振 |
ZC12965 |
DSA321SDN |
3225 |
23.04MHZ |
3.3V |
|
KDS晶振 |
ZC13727 |
DSX221SH |
2520 |
24.000MHZ |
10PF |
|
KDS晶振 |
1ZNA16000AB0P |
DSX221G |
2520 |
16.000MHZ |
9PF |
|
KDS晶振 |
X1H013000B81H |
HSX531S |
5032 |
13.000MHZ |
8PF |
|
KDS晶振 |
X4S013000DA1H-W |
HSX421S |
4025 |
13.000MHZ |
10PF |
|
KDS晶振 |
1XSE009600AV |
DSO321SV |
3225 |
9.6MHZ |
3.3V |
|
KDS晶振 |
1XSE012000AR58 |
DSO321SR |
3225 |
12.000MHZ |
3.3V |
|
KDS晶振 |
1ZZNAE48000ZZ0R |
DSX211SH |
2016 |
48.000MHZ |
7PF |
|
KDS晶振 |
1N227000EE0L |
DSX321G |
3225 |
27.000MHZ |
9PF |
|
KDS晶振 |
1ZZCAA27120BB0D |
DSX211G |
2016 |
27.12MHZ |
10PF |
|
KDS晶振 |
1N226000AA0L |
DSX321G |
3225 |
26.000MHZ |
7.5pf |
|
KDS晶振 |
1N226000AA0G |
DSX321G |
3225 |
26.000MHZ |
12.5PF |
|
KDS晶振 |
1RAK38400CKA |
DSR211STH |
2016 |
38.4MHZ |
7pf |
|
KDS晶振 |
7CG03840A06 |
DSR1612ATH |
1612 |
38.400MHZ |
8PF |
|
KDS晶振 |
1CX40000EE1O |
DSX840GA |
8045 |
40.000MHZ |
18PF |
|
KDS晶振 |
1SF805E1MM |
LOW PASS FILTER 1/4IN |
|
|
|
|
KDS晶振 |
1XSA050000AVW |
DSO751SV |
7050 |
50.000MHZ |
3.3V |
|
KDS晶振 |
1ZCP37400AA0H |
DSX211AL |
2016 |
37.400MHZ |
10PF |
|
KDS晶振 |
1XSR025000AR25 |
DSO751SR |
7050 |
25.000MHZ |
3.3V |
|
KDS晶振 |
1AC112893EA |
AT-49 |
11*4.6 |
11.2893MHZ |
10PF |
|
KDS晶振 |
1AC125821EA |
AT-49 |
11*4.6 |
12.58291MHZ |
8.8PF |
|
KDS晶振 |
1XVD008192VB |
DSV321SV |
3225 |
8.192MHZ |
3.3V |
|
KDS晶振 |
1XVD024000VA |
DSV321SV |
3225 |
24.000MHZ |
3.3V |
|
KDS晶振 |
1AR245766AZ |
SMD-49 |
11*4.6 |
24.576MHZ |
20PF |
|
KDS晶振 |
1AR245766BE |
SMD-49 |
11*4.6 |
24.576MHZ |
|
|
KDS晶振 |
1AR270002CG |
SMD-49 |
11*4.6 |
27.000MHZ |
10PF |
|
KDS晶振 |
1AR270002CGA |
SMD-49 |
11*4.6 |
27.000MHZ |
10PF |
|
KDS晶振 |
1N226000AA0E |
DSX321G |
3225 |
26.000MHZ |
8.1PF |
|
KDS晶振 |
1AR270002EH |
SMD-49 |
11*4.6 |
27.000MHZ |
12PF |
|
KDS晶振 |
1AV270002BA |
SMD-49 |
11*4.6 |
27.000MHZ |
16PF |
|
KDS晶振 |
1AY289002DB |
AT-49 |
11*4.6 |
28.900MHZ |
12PF |
|
KDS晶振 |
1C228322EE0D |
DSX321G |
3225 |
28.322MHZ |
10PF |
|
KDS晶振 |
1C254000CC0C |
DSX321G |
3225 |
54.000MHZ |
10PF |
|
KDS晶振 |
1C319200AA0A |
DSX321G |
3225 |
19.200MHZ |
8PF |
|
KDS晶振 |
1C338400AA0B |
DSX321G |
3225 |
38.400MHZ |
10PF |
|
KDS晶振 |
1C707600CC1B |
DSX530GA |
5032 |
7.600MHZ |
10PF |
|
KDS晶振 |
1C736864CC1A |
DSX530GA |
5032 |
36.864MHZ |
8PF |
|
KDS晶振 |
1CW04000KK3C |
DSX151GAL |
11.8*5.5 |
4.000MHZ |
12PF |
