V1474BBISEPL‐PF,ACT艾西迪晶振,6G无线晶振,1100时钟振荡器，尺寸为20.4*13.1mm,频率为14.7456MHZ，进口晶振，有源晶振，长方型钟振，石英晶体振荡器，低相位晶振，低电压晶振，高品质晶振，无线设备晶振，6G模块晶振，蓝牙音响晶振，物联网专用晶振，仪器设备晶振，便携式设备晶振，6G基站专用晶振，6GWIFI晶振。
有源晶体振荡器产品主要应用范围：6G模块，蓝牙音响，物联网，仪器设备，便携式设备，6G基站，6GWIFI，移动通信，通讯模块等领域。V1474BBISEPL‐PF,ACT艾西迪晶振,6G无线晶振,1100时钟振荡器.
小型贴片石英晶振,外观尺寸具有薄型表面贴片型石英晶体谐振器,特别适用于有小型化要求的市场领域,比如智能手机,无线蓝牙,平板电脑等电子数码产品.晶振本身超小型,薄型,重量轻,晶体具有优良的耐环境特性,如耐热性,耐冲击性,在办公自动化,家电相关电器领域及Bluetooth,Wireless LAN等短距离无线通信领域可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.
有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
温补晶振（TCXO）,是目前有源晶振中体积最小的一款,产品本身带温度补偿作用的晶体振荡器,该体积产品最适合于GPS,以及卫星通讯系统,智能电话等多用途的高稳定的频率温度特性晶振.为对应低电源电压的产品.(DC+1.8V ± 0.1V to +2.9V ± 0.1V 对应IC可能) 高度：最高0.8 mm,体积：0.0022 cm3,重量：0.008 g,超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.（可对应回流焊）无铅产品.满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,带有AFC（频率控制）功能,Enable/Disable功能,产品本身可根据使用需要进行选择.
具有最适合于移动通信设备用途的高稳定的频率温度特性.为对应低电源电压的产品.(可对应DC +1.8 V±0.1 V to +3.2 V±0.1 V )高度：最高1.0 mm,体积：0.007 cm3,重量：0.024g,超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.（可对应回流焊） 无铅产品.满足无铅焊接的回流温度曲线要求.
ECX-P33BN-16.384高精密晶振ECS-2018-080-BN低抖动晶振ECS-1633-192-BN-TR美国伊西斯晶振ECS-3525-320-B-TR伊西斯晶振ECS-3225S18-200-FN-TR有源晶振ECS-.327-12.5-39-TR伊西斯晶振ECS-250-20-3X-TR晶振ECX-P33BN-24.576低抖动晶振ECS-2018-240-BN有源石英晶振ECS-3518-240-B-TR高精密晶振ECS-VXO-73-27.00-TR晶体振荡器ECS-3953M-500-BN-TR石英晶振ECS-240-16-5PX-TR无源晶振ECS-3X8耐高温晶振ECS-120-20-3X-TR石英晶体ECX-P33BN-25.000高精密晶振ECS-3525-1000-B-TR伊西斯SMD晶振ECS-3518-400-B-TR有源石英晶振ECS-2033-160-BN大体积晶振ECS-3953M-040-BN-TR贴片晶振ECS-92.1-S-5PX-TR伊西斯晶振ECS-40-18-5PXEN-TR低损耗晶振ECS-160-20-3X-TR无源晶振ECS-2033-240-BN大体积晶振ECS-3953M-018-BN-TR进口晶体振荡器ECS-73-S-5PX-TR石英晶振ECS-76.8-18-5PXEN-TR高品质晶振ECS-143-20-3X-TR伊西斯晶振ECX-P33BN-27.000石英贴片晶振ECS-3525-1250-B-TR有源晶振ECS-3951M-160-BN-TR美国伊西斯晶振ECS-1618-120-BN-TR小体积贴片晶振ECS-3953M-200-BN-TR石英晶体振荡器ECS-3225S25-240-FN-TR贴片晶振ECS-98.3-18-5PXEN-TR晶振ECS-147.4-20-3X-TR石英晶振ECX-L32CM-14.7456石英贴片晶振ECS-3963-1000-AU-TR石英晶体振荡器ECS-3953M-080-AU-TR有源晶振ECS-1618-192-BN-TR有源石英晶振ECS-3953M-480-AU-TR有源晶振ECS-3225S25-250-FN-TR进口晶体振荡器ECS-42-18-5PXEN-TR石英晶体ECX-P33BN-250.000石英贴片晶振ECS-3963-1000-BN-TR美国伊西斯晶振ECX-L32CM-150.000高频晶振ECX-P33BN-18.432有源石英晶振ECS-2018-147.4-BN高精密晶振ECS-1633-240-BN-TR有源晶振ECS-3525-400-B-TR石英晶振ECS-3225S18-240-FN-TR美国进口晶振ECS-240-10-37Q-ES-TR石英晶振ECS-286.3-20-3X-EN-TR高品质晶振ECX-L32CM-155.520高频晶振ECX-P33BN-20.000伊西斯SMD晶振ECS-2018-160-BN有源石英晶振ECS-1633-260-BN-TR石英晶体振荡器ECS-3525-480-B-TR贴片晶振ECS-3225S18-270-FN-TR伊西斯晶振ECS-250-10-37Q-ES-TR美国进口晶振ECS-300-20-3X-EN-TR晶振ECX-L32CM-156.250高频晶振
ECX-P33BN-200.000美国伊西斯晶振ECS-TXO-5032-120-TR伊西斯SMD晶振ECS-1618-480-BN-TR低抖动晶振ECS-3525-600-B-TR进口晶体振荡器ECS-3225S18-320-FN-TR石英晶振ECS-260-10-37Q-ES-TR耐高温晶振ECS-240-20-5PX-TR石英晶体ECX-L32CM-16.000有源晶振ECX-P33BN-212.500有源晶振ECS-TXO-5032-160-TR美国ECS晶振ECS-3963-480-AU-TR高精密晶振ECS-3518-040-B-TR石英晶体振荡器ECS-3225S18-400-FN-TR贴片晶振ECS-.327-12.5-34QCS-TR低损耗晶振ECS-60-32-5PX-TR无源晶振ECX-L32CM-16.384有源晶振ECS-200-20-3X-TR耐高温晶振ECX-L32CM-148.500高频晶振ECX-P33BN-24.000石英晶体振荡器ECS-TXO-3225-100-TR有源晶振ECS-2033-040-AU有源石英晶振ECS-3518-080-B-TR有源晶振ECS-3953M-480-B-TR进口晶体振荡器ECS-42-12-5PX-TR高品质晶振ECS-73-20-5PX-TR伊西斯晶振ECX-L32CM-18.432有源晶振ECS-3X8X石英晶振ECS-TXO-3225-200-TR石英晶体振荡器ECS-3961-240-AU-TR伊西斯SMD晶振ECS-3953M-800-B-TR晶体振荡器ECS-3953M-250-B-TR石英晶体振荡器ECS-122.8-20-5PX-TR晶振ECS-92.1-20-5PX-TR石英晶振ECX-L32CM-20.000有源晶振ECS-.327-12.5-13美国进口晶振ECS-2018-300-BN低抖动晶振ECS-2033-240-AU美国伊西斯晶振ECS-VXO-73-32.768-TR大体积晶振ECS-3953M-080-B-TR有源晶振ECS-80-S-5PX-TR石英晶体ECS-40-S-5PX-TR美国进口晶振ECX-L32CM-200.000高频晶振ECS-40-20-5PXDN-TR无源晶振ECS-2018-250-BN高精密晶振ECS-3963-270-AU-TR有源晶振ECS-VXO-73-19.440-TR晶体振荡器ECS-3953M-100-B-TR美国进口晶振ECS-120-20-3X-EN-TR低损耗晶振ECS-160-S-5PX-TR耐高温晶振ECS-80-18-5PXDN-TR伊西斯晶振ECS-2033-143-AU石英晶体振荡器ECS-60-20-5PX-TR晶振ECS-3953M-240-B-TR伊西斯晶振ECS-200-20-3X-EN-TR高品质晶振ECS-2033-320-AU低抖动晶振ECS-184-S-5PX-TR石英晶体ECS-3518-143-B-TR伊西斯SMD晶振ECS-184-20-3X-TR美国进口晶振ECX-L32CM-148.3516高频晶振ECX-P33BN-16.000低抖动晶振ECS-3953M-400-AU-TR石英晶体振荡器ECS-1618-260-BN-TR伊西斯SMD晶振ECS-3525-200-B-TR美国进口晶振ECS-3225S18-160-FN-TR石英晶体振荡器ECS-120-20-46X无源晶振ECS-245.7-20-3X-TR低损耗晶振
