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  • 亚皮秒相位高稳定性振荡器
    石英晶体的频率取决于其振动模式,现如今大多数设计师利用谐波和模式晶可以设计出频率范围为MHz~GHz的高频石英晶体振荡器,由于振动效应能量发生在石英板的中心,将能量限制在一个小区域内使得振动板难以振动,通常给定模式中的较低频率设备需要较大的封装,较高频率的设备可以以相同的模式放置在较小的封装中.

    时间:2019-01-02   浏览:290

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  • 英国IQD的新型IQXT-205系列温度补偿晶体振荡器
    IQD的新型IQXT-205系列温度补偿晶振TCXO)和压控温度补偿晶振(VCTCXO)采用2016晶振微型密封陶瓷封装,该系列有三种不同的选择IQXT-205-1,IQXT-205-2和IQXT-205-3.所有这三个选项的频率范围均介于13MHz和52MHz之间,并具有五种不同的电压;1.8,2.5,2.8,3.0和3.3V.IQXT-205具有Clipped正弦波输出和10kΩ//10pF负载,最大电流消耗为2.0mA,相位噪声为-135dBc/Hz@1kHz.

    时间:2018-12-22   浏览:172

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  • 晚上睡不着?试试使用低相噪晶振的降噪耳机吧

    从网上了解到这一款Bose的降噪耳塞主打降噪功能,搭配了新款的低相噪石英晶振,和平时见到的入耳式蓝牙耳机不同,在外观上采用了真无线的设计,消除了耳机线对人体的干扰.其次是耳塞模型的问题,如果它不能尽量和人的耳廓相贴合的话,那么佩戴时的异物感可能就会毁了整晚的睡眠.在这方面,Bose 遮噪睡眠耳塞贴合感还是感觉不错的

    时间:2018-12-06   浏览:212

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  • 日本京瓷时钟32.768K系列ST3215SB32768H5HPWAA晶振
      京瓷晶振集团在全球的事业涉及原料,零件,设备,机器,以及服务,网络等各个领域.在集团内部,若将相关的有源晶振,压控晶体振荡器,晶振,石英晶振,石英晶体振荡器等产品和事业视为一条生产线,其开发,生产,销售以及物流等等,所有程序都被有机地结合起来,并且有效地利用现有经营资源,通过发挥协同效应,使其构筑得更加牢固.京瓷晶振设备是世界领先生产石英晶体谐振器设备的厂商之一,涵盖各个方面的生产增长的合成石英晶体使用石英晶体生产最终产品,包括石英晶振,石英晶体振荡器,以及过滤器和光学设备.

    时间:2018-11-30   浏览:303

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  • 为1~200兆赫兹滤波器提供广泛灵敏性测量方案
    大多数应用程序意味着过滤器的准确规格,它们可归纳如下:尺寸,案例过滤频率带宽,阻带衰减,纹波,群延迟,互调等温度范围,终止,稳定性,内部过滤器设计和石英晶体制造与HFF晶体等新技术相结合,为客户提供了较广的灵敏性,一种非常相似的产品是晶体分辨器,可用于FM解调和测量应用,通常被用于移动通讯,导航,卫星电子设备和准确测量.

    时间:2018-11-29   浏览:1021

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  • C2E-30.720-12-1520-R台湾AKER贴片晶振代码
    CTS232.76812.520R安碁晶振C7S-8.000-8-1530-X-R压电石英晶振C1E-26.000-12-1530-X-R台湾进口晶振 C3E-25.000-8-50100-X1-R台湾AKER晶振C5S-37.500-10-1520-R安碁晶振C16-24.000-10-1530-X-R超小型贴片晶振 C3E-25.000-10-1530-X-R贴片晶振C7S-11.0592-12-1520-R台湾AKER晶振C1E-50.000-10-1530-X-R石英晶振 C1E-20.000-12-1530-X-R金属面贴片晶振C2E-30.720-12-1520-R贴片晶振C3E-27.000-8-50100-X1-R压电石英晶振 C16-27.000-10-1530-X-R石英晶体谐振器C5S-8.000-12-1520-R金属面贴片晶振C1E-30.000-10-1530-X-R安碁晶振 C1E-24.000-12-1530-X-R台湾进口晶振C5S-14.7456-12-1520-R石英晶体谐振器C1E-25.000-12-1530-X-R台湾AKER晶振 C5S-16.000-10-1530-X-R超小型贴片晶振C3E-30.000-12-1520-R台湾进口晶振C2E-48.000-10-1530-X-R贴片晶振 C3E-16.000-10-1530-X-R石英晶振C7S-16.670-8-1530-X-R超小型贴片晶振C1E-36.000-10-1530-X-R金属面贴片晶振 C1E-37.400-12-1530-X-R压电石英晶振C5S-13.000-10-1520-R石英晶振C16-40.000-10-1530-X-R石英晶体谐振器 C1E-32.000-12-1530-X-R安碁晶振C16-32.000-10-1520-R压电石英晶振C1E-32.000-10-1530-X-R台湾进口晶振 C3E-26.000-10-1530-X-R台湾AKER晶振C2E-48.000-10-1520-R安碁晶振C5S-12.000-10-1530-X-R超小型贴片晶振 C2E-26.000-10-1530-X-R贴片晶振C1E-33.000-8-1520-R台湾AKER晶体C1E-27.120-12-1530-X-R石英晶振 C1E-50.000-12-1530-X-R金属面贴片晶振C3E-26.000-8-1520-R贴片晶振C3E-32.000-10-1530-X-R压电石英晶振 C1E-27.000-12-1530-X-R石英晶体谐振器C1E-37.400-12-1520-R金属面贴片晶振C3E-24.000-10-1530-X-R安碁晶振 C1E-54.000-10-1530-X-R台湾进口晶振CAA-14.7456-20-1520-R石英晶体谐振器C2E-40.000-10-1530-X-R台湾AKER晶振 C3E-40.000-10-1530-X-R超小型贴片晶振C7S-8.000-12-1530-X-R台湾进口晶振C1E-27.000-10-1530-X-R贴片晶振 C1E-20.480-10-1530-X-R石英晶振CAA-4.000-18-1530-X-R超小型贴片晶振C1E-38.400-12-1530-X-R金属面贴片晶振 C2E-16.000-10-1530-X-R压电石英晶振C6S-10.000-12-1520-R石英晶振C1E-32.000-8-1515-R石英晶体谐振器 C1E-40.000-10-1530-X-R安碁晶振C1E-25.000-8-1520-R压电石英晶振C1E-38.400-10-1010-R台湾进口晶振 C1E-48.000-10-1530-X-R台湾AKER晶振C2E-18.080-12-50100-X1-R安碁晶振C16-40.000-8-1015-R超小型贴片晶振 C1E-30.720-10-1530-X-R贴片晶振CAA-20.000-20-1520-R台湾AKER晶振C1E-28.63636-10-1530-X-R石英晶振 C3E-27.000-10-1530-X-R金属面贴片晶振C2E-24.576-8-1520-R贴片晶振

    时间:2018-11-23   浏览:636

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  • 美国伊西斯晶振编码查询

           ECX-P33BN-16.384高精密晶振ECS-2018-080-BN低抖动晶振ECS-1633-192-BN-TR美国伊西斯晶振ECS-3525-320-B-TR伊西斯晶振ECS-3225S18-200-FN-TR有源晶振ECS-.327-12.5-39-TR伊西斯晶振ECS-250-20-3X-TR晶振ECX-P33BN-24.576低抖动晶振ECS-2018-240-BN有源石英晶振ECS-3518-240-B-TR高精密晶振ECS-VXO-73-27.00-TR晶体振荡器ECS-3953M-500-BN-TR石英晶振ECS-240-16-5PX-TR无源晶振ECS-3X8耐高温晶振ECS-120-20-3X-TR石英晶体ECX-P33BN-25.000高精密晶振ECS-3525-1000-B-TR伊西斯SMD晶振ECS-3518-400-B-TR有源石英晶振ECS-2033-160-BN大体积晶振ECS-3953M-040-BN-TR贴片晶振ECS-92.1-S-5PX-TR伊西斯晶振ECS-40-18-5PXEN-TR低损耗晶振ECS-160-20-3X-TR无源晶振ECS-2033-240-BN大体积晶振ECS-3953M-018-BN-TR进口晶体振荡器ECS-73-S-5PX-TR石英晶振ECS-76.8-18-5PXEN-TR高品质晶振ECS-143-20-3X-TR伊西斯晶振ECX-P33BN-27.000石英贴片晶振ECS-3525-1250-B-TR有源晶振ECS-3951M-160-BN-TR美国伊西斯晶振ECS-1618-120-BN-TR小体积贴片晶振ECS-3953M-200-BN-TR石英晶体振荡器ECS-3225S25-240-FN-TR贴片晶振ECS-98.3-18-5PXEN-TR晶振ECS-147.4-20-3X-TR石英晶振ECX-L32CM-14.7456石英贴片晶振ECS-3963-1000-AU-TR石英晶体振荡器ECS-3953M-080-AU-TR有源晶振ECS-1618-192-BN-TR有源石英晶振ECS-3953M-480-AU-TR有源晶振ECS-3225S25-250-FN-TR进口晶体振荡器ECS-42-18-5PXEN-TR石英晶体ECX-P33BN-250.000石英贴片晶振ECS-3963-1000-BN-TR美国伊西斯晶振ECX-L32CM-150.000高频晶振ECX-P33BN-18.432有源石英晶振ECS-2018-147.4-BN高精密晶振ECS-1633-240-BN-TR有源晶振ECS-3525-400-B-TR石英晶振ECS-3225S18-240-FN-TR美国进口晶振ECS-240-10-37Q-ES-TR石英晶振ECS-286.3-20-3X-EN-TR高品质晶振ECX-L32CM-155.520高频晶振ECX-P33BN-20.000伊西斯SMD晶振ECS-2018-160-BN有源石英晶振ECS-1633-260-BN-TR石英晶体振荡器ECS-3525-480-B-TR贴片晶振ECS-3225S18-270-FN-TR伊西斯晶振ECS-250-10-37Q-ES-TR美国进口晶振ECS-300-20-3X-EN-TR晶振ECX-L32CM-156.250高频晶振

          ECX-P33BN-200.000美国伊西斯晶振ECS-TXO-5032-120-TR伊西斯SMD晶振ECS-1618-480-BN-TR低抖动晶振ECS-3525-600-B-TR进口晶体振荡器ECS-3225S18-320-FN-TR石英晶振ECS-260-10-37Q-ES-TR耐高温晶振ECS-240-20-5PX-TR石英晶体ECX-L32CM-16.000有源晶振ECX-P33BN-212.500有源晶振ECS-TXO-5032-160-TR美国ECS晶振ECS-3963-480-AU-TR高精密晶振ECS-3518-040-B-TR石英晶体振荡器ECS-3225S18-400-FN-TR贴片晶振ECS-.327-12.5-34QCS-TR低损耗晶振ECS-60-32-5PX-TR无源晶振ECX-L32CM-16.384有源晶振ECS-200-20-3X-TR耐高温晶振ECX-L32CM-148.500高频晶振ECX-P33BN-24.000石英晶体振荡器ECS-TXO-3225-100-TR有源晶振ECS-2033-040-AU有源石英晶振ECS-3518-080-B-TR有源晶振ECS-3953M-480-B-TR进口晶体振荡器ECS-42-12-5PX-TR高品质晶振ECS-73-20-5PX-TR伊西斯晶振ECX-L32CM-18.432有源晶振ECS-3X8X石英晶振ECS-TXO-3225-200-TR石英晶体振荡器ECS-3961-240-AU-TR伊西斯SMD晶振ECS-3953M-800-B-TR晶体振荡器ECS-3953M-250-B-TR石英晶体振荡器ECS-122.8-20-5PX-TR晶振ECS-92.1-20-5PX-TR石英晶振ECX-L32CM-20.000有源晶振ECS-.327-12.5-13美国进口晶振ECS-2018-300-BN低抖动晶振ECS-2033-240-AU美国伊西斯晶振ECS-VXO-73-32.768-TR大体积晶振ECS-3953M-080-B-TR有源晶振ECS-80-S-5PX-TR石英晶体ECS-40-S-5PX-TR美国进口晶振ECX-L32CM-200.000高频晶振ECS-40-20-5PXDN-TR无源晶振ECS-2018-250-BN高精密晶振ECS-3963-270-AU-TR有源晶振ECS-VXO-73-19.440-TR晶体振荡器ECS-3953M-100-B-TR美国进口晶振ECS-120-20-3X-EN-TR低损耗晶振ECS-160-S-5PX-TR耐高温晶振ECS-80-18-5PXDN-TR伊西斯晶振ECS-2033-143-AU石英晶体振荡器ECS-60-20-5PX-TR晶振ECS-3953M-240-B-TR伊西斯晶振ECS-200-20-3X-EN-TR高品质晶振ECS-2033-320-AU低抖动晶振ECS-184-S-5PX-TR石英晶体ECS-3518-143-B-TR伊西斯SMD晶振ECS-184-20-3X-TR美国进口晶振ECX-L32CM-148.3516高频晶振ECX-P33BN-16.000低抖动晶振ECS-3953M-400-AU-TR石英晶体振荡器ECS-1618-260-BN-TR伊西斯SMD晶振ECS-3525-200-B-TR美国进口晶振ECS-3225S18-160-FN-TR石英晶体振荡器ECS-120-20-46X无源晶振ECS-245.7-20-3X-TR低损耗晶振

    时间:2018-11-20   浏览:172

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  • 斯塔克晶振拥有耐275°C高温的HTXO晶振

    斯塔克晶振的HTXO晶体振荡器是耐275°C高温,坚固的表面贴装石英晶体振荡器.该设计包括一个高冲击晶体和一个高温CMOS集成电路,采用5.0mmx7.5mm表面贴装陶瓷封装.在美国生产制造,可以在3.3V5.0V电压下进行操作,频率为32.768K,1.5MHZ-50MHZ.

    时间:2018-11-19   浏览:126

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  • 村田石英晶体编码
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  • 京瓷差分晶振编码
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