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1XXB30000MBA,DSB221SDN低电压晶振,KDS移动电话晶振

1XXB30000MBA,DSB221SDN低电压晶振,KDS移动电话晶振1XXB30000MBA,DSB221SDN低电压晶振,KDS移动电话晶振

产品简介

1XXB30000MBA,DSB221SDN低电压晶振,KDS移动电话晶振,尺寸2.5x2.0mm,频率30MHZ,日本进口晶振,大真空有源晶振,石英晶体振荡器,TCXO温补晶振,有源晶体振荡器,温度补偿晶振,石英有源晶振,2016mm有源晶振,温补石英晶振,贴片温补振荡器,低抖动温补晶振,低电压温补晶振,低相位温补晶振,低相噪温补晶振,低耗能温补晶振,高质量温补晶振,移动电话温补晶振,GPS全球定位系统晶振,测试设备有源晶振,空中雷达有源晶振,6G电信有源晶振,交换机有源晶振,网络应用有源晶振,具有低耗能高质量的特点。

进口温补晶振产品比较适合用于移动电话,GPS全球定位系统,测试设备,空中雷达,6G电信,交换机,网络应用等应用。1XXB30000MBA,DSB221SDN低电压晶振,KDS移动电话晶振.

产品详情

Abracon-2

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1XXB30000MBA,DSB221SDN低电压晶振,KDS移动电话晶振,尺寸2.5x2.0mm,频率30MHZ,日本进口晶振,大真空有源晶振,石英晶体振荡器,TCXO温补晶振,有源晶体振荡器,温度补偿晶振,石英有源晶振,2016mm有源晶振,温补石英晶振,贴片温补振荡器,低抖动温补晶振,低电压温补晶振,低相位温补晶振,低相噪温补晶振,低耗能温补晶振,高质量温补晶振,移动电话温补晶振,GPS全球定位系统晶振,测试设备有源晶振,空中雷达有源晶振,6G电信有源晶振,交换机有源晶振,网络应用有源晶振,具有低耗能高质量的特点。

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1XXB30000MBA,DSB221SDN低电压晶振,KDS移动电话晶振参数表

型号名称 DSB221SDN (TCXO )
输出频率范围 30MHz
标准频率 16.3676 MHz/16.367667 MHz/16.368 MHz/16.369 MHz/16.8 MHz/26 MHz/33.6 MHz
电源电压范围 +1.68?+3.5V
电源电压( Vcc ) +1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V
消耗电流 +1.5mA max.(f≦26MHz )/+2.0mA max.(26
输出电压 0.8Vp-p min.(f≦52MHz ) (削波正弦波/DC-coupled )
输出负载 10kΩ//10pF
频率稳定度 常温偏差 ±1.5×10-6max.(After 2 reflows )
温度特性 ±0.5×10-6±2.5×10-6max./-30?+85℃
±0.5×10-6±2.5×10-6max./-40?+85℃(Option )
电源电压特性 ±0.2×10-6max.(V抄送±5% )
负荷变动特性 ±0.2×10-6max.(10kΩ//10pF±10% )
经时变化 ±1.0×10-6max./year
频率控制 控制灵敏度 -
频率控制极性 -
启动时间 2.0ms max.。
相位噪声
Offset 100Hz
Offset 1kHz
Offset 10kHz
Offset 100kHz
[f≦26MHz]
-115dBc/Hz
-130dBc/Hz
-150dBc/Hz
-155dBc/Hz
[26MHz
-110dBc/Hz
-130dBc/Hz
-150dBc/Hz
-155dBc/Hz
[40MHz
-105dBc/Hz
-125dBc/Hz
-145dBc/Hz
-150dBc/Hz
包装单位(1) 3000pcs./reel(φ180 )
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1XXB30000MBA,DSB221SDN低电压晶振,KDS移动电话晶振 尺寸图

DSA221SDN,DSB221SDN,DSB221SDNB.2520

1XXB30000MBA,DSB221SDN低电压晶振,KDS移动电话晶振

7050晶振产品特点:

低电压对应

低相位噪声

单封装结构

DSA1612SDN,DSA211SDN,DSA221SDN,DSA321SDN,DSB1612SDN,DSB211SDN,DSB221SDN,DSB321SDN

品牌 晶振厂原厂代码 型号 尺寸 频率 负载/电压
KDS晶振 1XSA050000AVW DSO751SV 7050 50.000M 3.3V
KDS晶振 ZC12456 DSB211SDN 2016 16.320M 3.3V
KDS晶振 1XXD16367MAA DSB211SDN 2016 16.367667M 3.3V
KDS晶振 1XXB16367MAA DSB221SDN 2520 16.367667M 2.8V
KDS晶振 1XXD24000MBA DSB211SDN 2016 24.000M
KDS晶振 1XXD26000MAA DSB211SDN 2016 26.000M
KDS晶振 1XXD38400MFA DSB211SDN 2016 38.400M
KDS晶振 1XXD40000PDA DSB211SDN 2016 40.000M
KDS晶振 1XXD32000PBA DSB211SDN 2016 32.000M
KDS晶振 1XXD52000PBA DSB211SDN 2016 52.000M
KDS晶振 ZC12467 DSA211SDN 2016 16.32M 3.3V
KDS晶振 7DF01920A09 DSA211SDN 2016 19.200M
KDS晶振 1XXC20000MAA DSA211SDN 2016 20.000M
KDS晶振 1XXB16369JFA DSB221SDN 2520 16.369M 3.3V
KDS晶振 1XXB24000MEA DSB221SDN 2520 24.000M
KDS晶振 1XXB25000PAA DSB221SDN 2520 25.000M
KDS晶振 1XXB26000MAA DSB221SDN 2520 26.000M
KDS晶振 1XXB30000MBA DSB221SDN 2520 30.000M
KDS晶振 1XXB32000PAA DSB221SDN 2520 32.000M
KDS晶振 7ED03360A00 DSB321SDN 3225 33.6M
KDS晶振 7ED01638A03 DSB321SDN 3225 16.384M
KDS晶振 1XSE022579ARC DSO321SR 3225 22.5792M
KDS晶振 1XTQ19200ELA DSA535SG 5032 19.200M
KDS晶振 1XXA26000FSB DSA221SCL 2520 26.000M
KDS晶振 1XXB38400MCB DSB221SDN 2520 38.4M 3.3V
KDS晶振 7EE05200A02 DSB221SDN 2520 52.000M
KDS晶振 1XXA10000MBA DSA221SDN 2520 10.000M 3.3V
KDS晶振 1XXA26000MAA DSA221SDN 2520 26.000M
KDS晶振 1XXA32000MBA DSA221SDN 2520 32.000M
KDS晶振 1XXA20000CAA DSA221SDN 2520 20.000M 3.3V
KDS晶振 1XTW16368FEA DSB321SCL 3225 16.368M 2.8V
KDS晶振 1XSE009600AV DSO321SV 3225 9.6M 3.3V

LH-6

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